消费电子-原理图-消耗E币(免费)资料下载

【AP2310N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:AP2310N-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)

AP2310NVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2302DS-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI2302DS-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5

SI2302DSVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
【NTD25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD25P03LG-VB 丝印：VBE2338 品牌：VBsemi 参数： -P沟道--30V电压--26A电流-RDS(ON)：33mΩ@

NTD25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSP315P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

BSP315P详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-6.5A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth(V)-封

BSP315PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【IRF7413TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF7413TRPBF丝印：VBA1311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：12A-导通电阻：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电

IRF7413TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4420-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4420丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：12A-RDS(ON)：12mΩ@10V，15mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

AO4420VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2302ADS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8

SI2302ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
RTL8188CUS_DataSheet_1.0.pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

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AT89S52.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【FDS4435A-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：FDS4435A-NL-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻： -RDS(ON)：23mΩ@10V -RD

FDS4435ANLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRLM2502TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：IRLM2502TRPBF-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33m

IRLM2502TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PHD78NQ03LT-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：60A-开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10Vgs、11mΩ@4

PHD78NQ03LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O

ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR

IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【FDS4685-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS4685-NL-VB 丝印：VBA2412 品牌：VBsemi 参数： -P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V

FDS4685NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet