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电子设备热设计规范

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时间：2019.05.23

上传者：feiniao2008

本规范明确了电子设备热设计的指标要求和热设计流程，并提供了热设计的基本理论、热设计的三种方法和要求，即热分析计算、计算机热仿真、热模拟测试及热测试。本规范适用于深圳市中兴通讯股份有限公司本部事业部在产
【STN4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STN4828-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-最大电流：6A-RDS(ON)：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范围：

STN4828VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD2610-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD2610丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：60A-RDS(ON)：9mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

AOD2610VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ME9435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：ME9435丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-6A-导通电阻：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20V

ME9435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SI9424DY-T1-E3-VB-丝印：VBA2216-品牌：VBsemi-参数：P沟道，-20V，-8A，RDS(ON)，16mΩ@4.5V，19.2mΩ@2.5V，15Vg

SI9424DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
op07d.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

op07dpdf
【IRF7404TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF7404TRPBF-VB丝印:VBA2216品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-8A-静态导通电阻(RDS(ON)):16mΩ@4.5V,1

IRF7404TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4948BEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-60V-最大持续电流（Id）：-5.3A-导通电阻（RDS(ON)）：5

SI4948BEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDT86113LZ-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDT86113LZ丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：5A-导通电阻：100mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源

FDT86113LZVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NDS9948-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NDS9948-NL-VB-丝印：VBA4658-品牌：VBsemi-沟道类型：P沟道-工作电压：-60V-最大漏极电流：-5.3A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@

NDS9948NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE2014ES-VB 丝印：VBA1206 品牌：VBsemi 参数说明：-类型：N沟道 -额定电压：20V -额定电流：15A

NCE2014ESVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：

IRF7416TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSP030参数：N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M

BSP030 VBsemi SOT223 mos datasheet
【SI4825DDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4825DDY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V

SI4825DDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet