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【FDS4897AC-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号FDS4897AC-NL-VB的详细参数和应用简介：**型号：**FDS4897AC-NL-VB**丝印：**VBA5638**品牌：**VBsemi*

FDS4897ACNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559ADY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI4559ADY-T1-E3-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±60V-最大电流：6.5A(N沟道),-5A(P沟道)-开态电阻(RDS(ON))：28

SI4559ADYT1E3VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AP9997GK-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AP9997GK-VB丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：5A-导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ@10V-门源

AP9997GKVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：AM4392N-T1-PF-VB 丝印：VBA1203M 品牌：VBsemi 详细参数说明： -沟道类型：

AM4392NT1PFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559EY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI4559EY-T1-E3(VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别

SI4559EYT1E3 NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【NDT451AN-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：NDT451AN丝印：VBJ1322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：7A-导通电阻：25mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源电压：20V

NDT451AN VBsemi SOT223 mos datasheet
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NDP6020P-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NDP6020P-VB丝印：VBM2309品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：8mΩ@10V，11m

NDP6020PVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IRFL210TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:IRFL210TRPBF丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V -额定电流(ID):1A -开通电阻(RD

IRFL210TRPBFVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【ME9926-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:ME9926丝印:VBA3222品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):20V -额定电流(ID):8A -开通电阻(RDS(ON))

ME9926VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
LP3382-00.pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

LP338200pdf
【FDS4435BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDS4435BZ-NL丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66

FDS4435BZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【汽车大灯大功率照明方案】输入8-100V 降压型LED恒流驱动芯片FP7125

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7125是在恒定关断时间内工作的平均电流模式控制LED驱动器IC模式。FP7125不会产生峰均误差，因此可以大大提高精度，LED电流的线路和负载调节，无需环路补偿或高压侧电流感应。输出LED电流精
【20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：20P03丝印：VBE2338品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-26A-开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-额定栅极-

20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD464-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:AOD464-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:40A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,31mΩ@4.

AOD464VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STS5DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：STS5DNF60L-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：27mΩ@10V,32mΩ@4

STS5DNF60LVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet