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【SM4028NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM4028NSUC-TRG-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：40V-最大连续电流：85A-静态开启电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10V,5mΩ@

SM4028NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ME20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME20N03-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V，9mΩ@4.

ME20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTP6413ANG-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

NTP6413ANGVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
YDT 1464-2006 光纤收发器测试标准

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时间：2019.06.03

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YDT1464-2006光纤收发器测试标准
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9945BDY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻

SI9945BDYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4441-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4441-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-60V-最大持续电流：-6A-开通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10Vgs、61mΩ@4.5Vg

AO4441VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MGSF2N02ELT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MGSF2N02ELT1G-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33m

MGSF2N02ELT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
PLL电路的研究及在信号产生中的应用资料

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时间：2019.05.31

上传者：feiniao2008

随着科学技术的发展，锁相环PLL是自动频率控制和自动相位控制技术的融合。鉴于其在通讯、航海、军事等发面的广泛应用，研究锁相环电路的特性有助于了解和提高锁相环电路的性能指标，使其在各领域得到更为广泛的应
【MDD1754RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：MDD1754RH-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V，14m

MDD1754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4425-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AO4425丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压：20

AO4425VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK3147STL-E-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3147STL-E-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：115mΩ@1

2SK3147STLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
汉邦D1产品参数

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时间：2019.06.12

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HB8200系列产品采用H.264压缩算法、LINUX操作系统和嵌入式处理器一体化的设计，在单板上集成了视音频采集、压缩、存储、网络传送、多路云台控制、报警检测等功能，保证了系统的高集成度和高可靠性。
【IRF9335TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF9335TRPBF-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-6A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20V

IRF9335TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SFT1443-H-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SFT1443-H-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20V

SFT1443HVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CEU12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：CEU12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：18A-静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ@10V,121mΩ@

CEU12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR1018ETRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,

IRFR1018ETRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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