消费电子-原理图-消耗E币(免费)资料下载

【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：AO4616丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；±1.65Vth(

AO4616VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MT4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

MT4606详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A(N沟道),-6A(P沟道)-导通电阻：15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道),19mΩ@4.5V(N沟

MT4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFZ24NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRFZ24NS丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V，27mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

IRFZ24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范

IRFZ24SPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：160A-导通电阻（RDS(ON)）：1.8mΩ@1

SIR802DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
Fisher 500B.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

Fisher 500Bpdf
【AO4480-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4480-VB丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：40V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

AO4480VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

上传者：东芝铠侠代理

B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
【FDS6681Z-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS6681Z-NL-VB丝印：VBA2305品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-15A-导通电阻（RDS(ON)）：5mΩ@10V,8mΩ

FDS6681ZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HM4447-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:HM4447-VB丝印:VBA2305品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V(负值表示P沟道)-最大电流:-15A(负值表示P沟道)-静态导通电阻(RDS(ON)):5m

HM4447VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF9328TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRF9328TRPBF-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,1

IRF9328TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
单工无线发射接收系统+毕业论文

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时间：2019.06.03

上传者：feiniao2008

本设计中采用调频立体声接收机集成芯片优化电路，使得接收灵敏度大为改善，外围元件极少。同时采用锁相环技术，增强锁定频率信号准确度。接收机采用电容分压式滤波器，具有动态范围大，调整方便的特点。
【IRFR5305TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRFR5305TRPBF丝印：VBE2658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-

IRFR5305TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4953KC-TRG-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-开态电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2

SM4953KCTRGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO8810-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：20V-最大连续电流：7.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ@4.5V,20mΩ@

AO8810VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDS8858CZ-NL丝印：VBA5311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：10A/-8A-RDS(ON)：11mΩ/21mΩ@10V，13mΩ/2

FDS8858CZNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet