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【SI2309DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2309DS-T1-GE3-VB丝印：VB2658品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.2A-开通电阻：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V

SI2309DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口（HVDCP）的智能接口芯片，它能够自动识别

IPT2602 规格书 usb 快速充电端口控制器
【AP4565GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4565GM-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4565GM-VB**丝印：**VBA5325**品牌：**VBsemi**参数：**-沟

AP4565GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7105TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7105TRPBF-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数说明：-极性：N+P沟道（既包含N沟道又包含P沟道）-额定电压：±30V（既可以在正电压下工作也可以在负电压下工作）-最大

IRF7105TRPBFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道、±30V、9/-6A、RDS(ON)、15/42mΩ@10V、19/50mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、±

4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
BLE4.2蓝牙+WiFi网关，室内定位蓝牙网关TD05规格书文档

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时间：2020.07.07

上传者：帘卷笙声寂

TD05是一款蓝牙网关，能被应用于各种场景，例如：远程控制BLE装置，接收BLE设备发送的数据，并将其发送给服务器……TD05WiFi部分的数据传输速率能达到100Mbps,蓝牙部分的速率能达到1Mb
MMA7660FC.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

MMA7660FCpdf
IPT2601规格书 USB快速充电端口控制器

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时间：2023.10.09

上传者：国兴顺电子郑生

IPT2601是一款低成本的USB专用快速充电端口控制器已满兼容BC1.2和其他非BC1.2YD/T1591-2009苹果®和Samsung®充电规范，HiSilicon®Fa

IPT2601 规格书 usb 快速充电端口控制器
【TPC8123-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

TPC8123详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类

TPC8123VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【BUK7675-55A-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BUK7675-55A-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V-门

BUK767555AVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
平板电脑内存故障分析

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时间：2019.05.21

上传者：qijie72

平板电脑内存故障分析

电脑内存
【FDD8424H-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

丝印：VBE5415品牌：VBsemi 型号：FDD8424H-VB 参数： -沟道类型：N+P沟道-最大电压：±40V-最大电流：50A/-50A-开通电阻：15mΩ@

FDD8424HVB NP 沟道 TO2525 封装 mos datasheet
【IRF830ASTRLPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF830ASTRLPBF-VB丝印：VBL165R10品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：1100mΩ@10V-阈值电压(Vt

IRF830ASTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【FQD3N50C-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD3N50C-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ@10V,275

FQD3N50CVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【HFD4N50-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HFD4N50-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-开态电阻(RDS(ON))：2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20V

HFD4N50VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：MDS9754URH丝印：VBA5325品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±30V-最大电流：9A/-6A-导通电阻：15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ

MDS9754URH NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：C3028LD丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A/-6A-RDS(ON)：15mΩ/42mΩ@10V，19mΩ/50mΩ@4.

C3028LDVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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