消费电子-原理图-消耗E币(免费)资料下载

【STP80NF55-08-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：447.81KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:STP80NF55-08-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:120A-静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@10V-静态导通电阻(

STP80NF5508VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【TJ30S06M3L-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：447.29KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TJ30S06M3L丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-50A-RDS(ON)：20mΩ@10V，25mΩ@4.5V-门源电压范围：2

TJ30S06M3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO3422-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：446.95KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3422-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON))

AO3422VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRLU024NPBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：446.34KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRLU024NPBF丝印:VBFB1630品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):25A -开通电阻(RDS

IRLU024NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：445.65KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDS4953-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：445.36KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS4953-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道（2个）-额定电压：-30V-最大连续电流：-7A-静态开启电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48

FDS4953NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7303TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：445.3KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7303TRPBF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：双N沟道MOSFET-额定工作电压：30V-额定漏极电流：6.8A（2个N沟道并联）-开启电阻RDS(O

IRF7303TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：445.21KB

时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的MOS管产品，型号为IRFR9120NTRPBF，丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型，具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压，能够承受高达-10A

IRFR9120NTRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5216电路|CS5216 demoboard参考电路|CS5216 电路设计方案

所需E币：0

下载：8

大小：444.91KB

时间：2021.05.21

上传者：QQ1659747718

CS5216是一款单端口HDMI/DVI电平转换器/中继器，具有重新定时功能。它支持交流和直流耦合TMDS信号高达3.0-Gbps的操作与可编程均衡和抖动清洗。它包括2路双模DP电缆适配器

CS5216 CS5216电路 CS5216demoboard CS5216设计方案
【CEM4953-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：444.21KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CEM4953-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48mΩ@

CEM4953VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：443.83KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：443.18KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
MAX232.pdf

所需E币：0

下载：0

大小：442.89KB

时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

MAX232pdf
【SUD50P04-13L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：442.35KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(

SUD50P0413LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR120NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：441.38KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFR120NTRPBF(VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。应用

IRFR120NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【IRFB31N20DPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：440.16KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：-最大耐压（VDS）：200V-最大电流（ID）：35A-导通电阻（R

IRFB31N20DPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IPD50P04P4-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：439.21KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IPD50P04P4-13-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-40V-最大连续漏极电流：-65A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@1

IPD50P04P413VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet