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所需E币：0时间：2022.01.21大小：694.86KB上传者：Eways-SIC碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：1.12MB上传者：Eways-SICSiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：580.92KB上传者：Eways-SICSiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：1MB上传者：Eways-SICSICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：1.16MB上传者：Eways-SIC碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：777.88KB上传者：Eways-SIC碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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所需E币：0时间：2022.01.21大小：1.07MB上传者：Eways-SICSiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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所需E币：0时间：2022.01.14大小：1.03MB上传者：Vasse此份文件描述了CA-IS372x系列双通道数字隔离器评估板的使用方法。使用户可以评估芯片性能且对隔离系统进行系统性分析，从而提高开发速度。该评估板可以兼容该系列双通道的SOIC8-G宽体封装的数字隔离
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所需E币：0时间：2022.01.14大小：1.43MB上传者：VasseCA-IS37xx系列产品采用全差分隔离电容技术。由SiO2构成的高压隔离电容为不同的电压域之间提供可靠的绝缘屏障，并提供可靠的高频信号传输路径；为了保证稳定的数据传输质量，引入开关键控(OOK)调制
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所需E币：0时间：2022.01.14大小：194.29KB上传者：Vasse芯片MCP2200是一个USB2.0到UART的协议转换器。CA-IS37XX系列是同类产品中最好的双向隔离器，具有显著的抖动性能，传输延迟比较低。耐压性能比较好
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所需E币：0时间：2022.01.14大小：597.96KB上传者：Vasse集成电路（I2C）总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法，由于其简单，已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信，可能系统中存在高电压，就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员
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所需E币：0时间：2022.01.14大小：559.02KB上传者：Vasse隔离是一种防止系统两部分之间有直流干扰，或者防止干扰性交流电流的方法，同时允许信号可以在这两部分系统正常传输。为保护操作人员，防止高压系统中昂贵的处理器损坏，就会需要这种隔离，切断通信网络中的接地回路
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