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所需E币：1下载：0大小：166.46KB时间：2023.09.25上传者：国兴顺电子郑生FM2514是一款USB快速充电控制IC，符合USB电池充电规范1.2版本，它允许充电装置吸取的电流类似于使用原装充电器。FM2514可自动识别充电设备类型，支持多种智能手机，并通过对应的USB充电协
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所需E币：0下载：0大小：408.9KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20
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所需E币：0下载：0大小：211.13KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。
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所需E币：0下载：0大小：239.46KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiUT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为
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所需E币：0下载：0大小：365.03KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作
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所需E币：0下载：0大小：421.45KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(
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所需E币：0下载：0大小：240.1KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5
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所需E币：0下载：0大小：239.06KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
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所需E币：0下载：0大小：486.86KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
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所需E币：0下载：0大小：239.56KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
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所需E币：0下载：0大小：255.12KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
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所需E币：0下载：0大小：256.35KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），
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所需E币：0下载：0大小：240.15KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiSI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
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所需E币：0下载：0大小：247.31KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiRSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg
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所需E币：0下载：0大小：379.19KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD（丝印为VBE1410），适用于各种电子应用，展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值，10V时的RDS(ON)值
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所需E币：0下载：0大小：223.09KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
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所需E币：0下载：0大小：256.54KB时间：2023.09.18上传者：VBsemiVBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD
