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电控发动机ECU数据流分析在汽车检测中的应用

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时间：2022.05.12

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电控发动机ECU数据流分析在汽车检测中的应用

电控发动机 ecu 数据流分析汽车检测应用
lxa20t600 600 V, 20 A X-Series PFC Diode.pdf

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时间：2020.09.07

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lxa20t600600V,20AX-SeriesPFCDiode.pdf

lxa20t600 600 20 XSeries PFC Diodepdf
LXA20T600 600V, 20A X-Series PFC Diode.pdf

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LXA20T600600V,20AX-SeriesPFCDiode.pdf

lxa20t600 600V 20a XSeries PFC Diodepdf
WNpctool简要使用说明_V1.1.0

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时间：2021.09.29

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电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，

WNpctool 使用说明 V110
工程数学2010-CH04-留数

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时间：2020.09.10

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工程数学2010-CH04-留数

工程数学 2010CH04 留数
清华大学c++8-Qiaolin_FOP_08.ppt

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时间：2020.06.23

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C++编程语言，面向对象编程思想，许多高校都已开设课程，学习一门编程语言，有利于锻造个人的思维能力，为后续软件编程打好坚实的基础。本手搜集的各高校老师的教课文本，笔记，有需要的建议下载保存，学习学习，

清华大学 c8QiaolinFOP08ppt
时钟抖动对高速ADC的性能会造成什么影响

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时间：2020.09.28

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时钟抖动对高速ADC的性能会造成什么影响

时钟抖动高速 ADC 性能会造成什么影响
PCB设计流程图思路清晰远比卖力苦干重要.rar

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时间：2021.04.12

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PCB设计流程图思路清晰远比卖力苦干重要.rar

pcb 设计流程思路清晰远比卖力苦干重 rar
10d471k压敏电阻参数及作用.docx

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时间：2020.08.06

上传者：kaidi2003

10d471k压敏电阻参数及作用.docx

10d471k 压敏电阻参数作用 docx
FPGA_ASIC-基于CPLDFPGA的半整数分频器设计

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时间：2020.09.23

上传者：bwj312

FPGA_ASIC-基于CPLDFPGA的半整数分频器设计

FPGAASIC 基于 cpldfpga 整数分频器设计
基于CPLD FPGA的半整数分频器设计

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时间：2020.09.23

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基于CPLDFPGA的半整数分频器设计

基于 cpld fpga 整数分频器设计
华为海思Datacom_OM9758ES100_40km 200GBASE-ER4,QSFP-DD

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时间：2020.09.21

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华为海思Datacom_OM9758ES100_40km200GBASE-ER4,QSFP-DD

华为海思 DatacomOM9758ES10040km 200GBASEER4QSFPDD
华为海思Datacom_OM9758LS100_10km 200GBASE-LR4 QSFP-DD

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时间：2020.09.21

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华为海思Datacom_OM9758LS100_10km200GBASE-LR4QSFP-DD

华为海思 DatacomOM9758LS10010km 200GBASELR4 QSFPDD
TC4051八选一、TC4052双四选一、TC4053三双选一八组合双向模拟开关

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时间：2020.09.09

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TC4051八选一、TC4052双四选一、TC4053三双选一八组合双向模拟开关
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：650V-最大持续电流：7A-开通电阻（RDS(ON)）：700mΩ@10Vgs-阈值电

FQD6N40CTMVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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