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TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最

toshiba 东芝 74VHC74FT 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝74VHCV541FT产品规格书datasheet

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时间：2024.07.29

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74VHCV541FT是一种高级高速CMOS八路总线缓冲器，具有非反向、三态输出。该组件采用硅栅CMOS技术制造，确保了与双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS技术固有的低功耗。以下是一些

toshiba 东芝 74VHCV541FT 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB62214AFTG双全桥驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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高电压和电流能力TB62214AFTG能够在最高40V电压下运行，并能处理每通道高达1.5A的电流（峰值2.5A），为苛刻的电机控制应用提供了充足的余量。这使其特别适合需要高扭矩和高速的应用。低导通电

toshiba 东芝 TB62214AFTG 全桥驱动 ic 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB62269FTG两相双极步进电机驱动IC 产品规格书datasheet

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时间：2024.09.19

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单芯片驱动两相双极步进电机TB62269FTG可通过单芯片实现对两相双极步进电机的驱动，极大简化了电机驱动电路的设计，同时节省了电路板空间。PWM控制的恒流驱动该芯片采用PWM恒流控制方式，能够精确控
Toshiba东芝TB6560AFG步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.01

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TB6560AHQ/AFGICs是脉宽调制（PWM）斩波型驱动器，专为双极步进电机的微步控制设计。这些ICs支持多种励磁模式，包括2相、1-2相、2W1-2相和4W1-2相，提供了广泛应用所需的灵活性
TOSHIBA东芝TB67H420FTG直流电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.29

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TB67H420FTG是一款多功能有刷直流电机驱动器，具有一系列使其适用于各种应用的特点，从工业机械到消费电子。以下是一些突出的规格：高电压和电流容量：TB67H420FTG支持高达50V和9.0A，

toshiba 东芝 TB67H420FTG 直流电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
Toshiba东芝TCD1304DG线性传感器产品规格书datasheet

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时间：2024.07.16

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高灵敏度和低暗电流TCD1304DG具有高灵敏度和低暗电流，非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含3648个光敏元件，每个元件尺寸为8µmx200µm，确保了出色的光灵敏度和分辨率。电子快门

toshiba 东芝 TCD1304DG 线性传感器产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

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高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计，极大地降低了导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>），使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO

toshiba 东芝 TPH1500CNH 沟道 mosfet 产品规格书 datasheet
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
x-nucleo-ihm07m1_bom.pdf

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时间：2021.10.11

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从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

xnucleoihm07m1bompdf
【2N7002WT1G-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2

2N7002WT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【AO7407-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO7407丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12

AO7407VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet

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