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应用IPC-A-610的主观能动性
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时间:2019.06.14
上传者:feiniao2008
应用IPC-A-610的主观能动性
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
该型号FDS8949-NL-VB,丝印为VBA3638,是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A,RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V,20Vgs(±V
FDS8949NLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOB414(VBL1102N)参数说明:N沟道,100V,70A,导通电阻18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压2V,封装:TO263。应用简介:AOB414适用于高电流
AOB414
VBsemi
TO263
mos
datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:NCE6005AS-VB-丝印:VBA3638-品牌:VBsemi-参数:2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.
NCE6005ASVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4447A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4447A-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:P沟道-额定电压(Vds):-30V-额定电流(Id):-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@1
AO4447AVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【IRF7103TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF7103TRPBF-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:2个N沟道-额定电压(Vds):60V-额定电流(Id):6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27
IRF7103TRPBFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:510.13KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AOD444详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-额定电流:18A-导通电阻:73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:2Vth(V)-封装类型:TO25
AOD444
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:509.04KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(
DTM4946VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法
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大小:508.44KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法
单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图
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时间:2022.03.30
上传者:Argent
单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图
单片机设计
电路
超声波
发射
接收
电路原理图
pcb
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用
ACE2302BBMH
VBsemi
sot23
mos
Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
CMD5950详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-100V-额定电流:-40A-导通电阻:33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.92Vth(V)-封
CMD5950
VBsemi
TO252
封装
mos
datasheet
超宽带(UWB)室内定位,资产定位,厘米级双向测距,UWB测距模块SKU603规格书文档
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时间:2020.07.21
上传者:帘卷笙声寂
UWB模块SKU603集成了DW1000和STM32F103(CortexM3内核),除此之前,还集成了板载天线,RF,电源管理,时钟电路。为了在静态状态下降低功耗,SKU603集成了一个三轴的线性加
ISO FDIS 26262-3-2011-Concept phase
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时间:2019.06.17
上传者:royalark_912907664
ISO26262Part3:概念阶段
iso
FDIS
26262
YD T 799-2002通信用阀控式密封铅酸蓄电池组
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时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
YDT799-2002通信用阀控式密封铅酸蓄电池组
寻呼成功率专题报告
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
寻呼成功率考核各地无线覆盖情况、网络运行维护优化的质量等。这项指标的高低反映网络的覆盖规模,网络覆盖本质上是无线的问题,应归于基站的密度、发射接收功率的设置等。通常,每期工程的顺利完成寻呼成功率就会有
【IRF7313TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRF7313TRPBF丝印:VBA3328品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:6.8A/6.0A-导通电阻:22mΩ@10V,26mΩ@
IRF7313TRPBFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
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