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【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(

DTM4946VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法
单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图

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时间：2022.03.30

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单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图

单片机设计电路超声波发射接收电路原理图 pcb
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
超宽带（UWB）室内定位，资产定位，厘米级双向测距，UWB测距模块SKU603规格书文档

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

UWB模块SKU603集成了DW1000和STM32F103（CortexM3内核），除此之前，还集成了板载天线，RF，电源管理，时钟电路。为了在静态状态下降低功耗，SKU603集成了一个三轴的线性加
ISO FDIS 26262-3-2011-Concept phase

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时间：2019.06.17

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ISO26262Part3：概念阶段

iso FDIS 26262
YD T 799-2002通信用阀控式密封铅酸蓄电池组

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

YDT799-2002通信用阀控式密封铅酸蓄电池组
寻呼成功率专题报告

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时间：2019.06.03

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寻呼成功率考核各地无线覆盖情况、网络运行维护优化的质量等。这项指标的高低反映网络的覆盖规模，网络覆盖本质上是无线的问题，应归于基站的密度、发射接收功率的设置等。通常，每期工程的顺利完成寻呼成功率就会有
【IRF7313TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF7313TRPBF丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.8A/6.0A-导通电阻：22mΩ@10V,26mΩ@

IRF7313TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet
微波传输信道

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

大气折射是在低空中大气对电波传播的折射频率不同，相位移不同，在同行程下合成场强可以不同大气折射率n定义为：电波在自由空间传播速度C与在真实大气中传播速度V之比。
CS5218 DP to HDMI转换器ic原理图

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时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5218，CS5218原理图,DPtoHDMI，转换器ic，DP转HDMI4K30HZ设计电路参考

CS5218 DP 13083 转换器ic CS5218原理图
【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AO4401-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大工作电压：-30V-最大工作电流：-6A-RDS(ON)：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围：

AO4401VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

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时间：2021.04.12

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FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

4800AGMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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