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MMOIP高速方案(光纤+通讯)
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时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
MMoIP视频光网络综合传输平台顺应光纤网络的低成本、大规模的应用潮流,集视频、高低速数据、语音、开关量接入,网络交换及光纤传输等先进技术于一体,适应综合业务向全光数字化网络化方向发展。MMoIP系统
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:515.52KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:20N03-VB-丝印:VBE1310-品牌:VBsemi-类型:N沟道场效应管-额定电压:30V-额定电流:70A-RDS(ON):7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压:
20N03VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
一种基于CAN总线的液压同步滑移控制系统
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大小:515.36KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种基于CAN总线的液压同步滑移控制系统
5V1A辅助电源
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大小:514.91KB
时间:2023.01.06
上传者:张红川
5V1A辅助电源制作资料,附带原理图及PCB文件
5v1a
辅助电源
LLC串联共振DCDC变换器
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大小:514.77KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
LLC串联共振DCDC变换器
【IRF5305STRPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:514.61KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRF5305STRPBF-VB丝印:VBL2658品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-30A-导通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V,
IRF5305STRPBFVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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大小:514.32KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:NTF6P02T3G丝印:VBJ2456品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-40V-最大电流:-6A-导通电阻:42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压
NTF6P02T3GVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
CS5263DP转HDMI2.0方案设计电路图.pdf
所需E币:0
下载:7
大小:514.25KB
时间:2021.09.15
上传者:qq2755130042
CS5263设计参考电路,CS5263电路图,DP转HDMI2.0方案设计,CS5263AN集成了DP1.4和HDMI2.0输出接口。DP接口包括4条主通道、辅助通道和HPD信号。
CS5263设计电路
DP转HDMI
DP转HDMI方案
CS5263电路图
基于TI低功耗可穿戴应用的无线充电器
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大小:513.42KB
时间:2022.07.26
上传者:Argent
基于TI低功耗可穿戴应用的无线充电器
基于
TI
低功耗
可穿戴应用
无线充电器
TD-SCDMA 无线接入网Iub接口部分
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下载:2
大小:512.37KB
时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
TD-SCDMA与GSM系统之间的切换–话音业务•TD-SCDMA与WCDMA系统之间的切换–语音业务–PS域业务
基于CAN总线实现多控制器同步写入标定数据的系统及方法
所需E币:3
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大小:511.09KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
基于CAN总线实现多控制器同步写入标定数据的系统及方法
ISO FDIS 26262-1-2011-Vocabulary
所需E币:5
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时间:2019.06.17
上传者:royalark_912907664
ISO/FDIS26262-1道路车辆-功能安全-第1部分:词汇
iso
FDIS
26262
应用IPC-A-610的主观能动性
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下载:2
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时间:2019.06.14
上传者:feiniao2008
应用IPC-A-610的主观能动性
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:510.97KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
该型号FDS8949-NL-VB,丝印为VBA3638,是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A,RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V,20Vgs(±V
FDS8949NLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOB414(VBL1102N)参数说明:N沟道,100V,70A,导通电阻18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压2V,封装:TO263。应用简介:AOB414适用于高电流
AOB414
VBsemi
TO263
mos
datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:NCE6005AS-VB-丝印:VBA3638-品牌:VBsemi-参数:2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.
NCE6005ASVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4447A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:510.42KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4447A-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:P沟道-额定电压(Vds):-30V-额定电流(Id):-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@1
AO4447AVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
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