原理图资料下载_第108页-面包板社区

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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MMOIP高速方案+MSTP

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

外场、车道、广场及隧道等监控点远端接入模块以链型方式（接入点数量较少时）或者光纤环网方式（接入点数量较多时）接入匝道收费站的本地接入单元，光纤环网和链型组网方式可以自由调整。收费站MMOIP的汇聚口与
MMOIP高速方案(光纤+通讯)

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

MMoIP视频光网络综合传输平台顺应光纤网络的低成本、大规模的应用潮流，集视频、高低速数据、语音、开关量接入，网络交换及光纤传输等先进技术于一体，适应综合业务向全光数字化网络化方向发展。MMoIP系统
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
一种基于CAN总线的液压同步滑移控制系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种基于CAN总线的液压同步滑移控制系统
5V1A辅助电源

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时间：2023.01.06

上传者：张红川

5V1A辅助电源制作资料，附带原理图及PCB文件

5v1a 辅助电源
LLC串联共振DCDC变换器

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LLC串联共振DCDC变换器
【IRF5305STRPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-30A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,

IRF5305STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压

NTF6P02T3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
CS5263DP转HDMI2.0方案设计电路图.pdf

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时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5263设计参考电路,CS5263电路图，DP转HDMI2.0方案设计，CS5263AN集成了DP1.4和HDMI2.0输出接口。DP接口包括4条主通道、辅助通道和HPD信号。

CS5263设计电路 DP转HDMI DP转HDMI方案 CS5263电路图
基于TI低功耗可穿戴应用的无线充电器

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时间：2022.07.26

上传者：Argent

基于TI低功耗可穿戴应用的无线充电器

基于 TI 低功耗可穿戴应用无线充电器
TD-SCDMA 无线接入网Iub接口部分

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

TD-SCDMA与GSM系统之间的切换–话音业务•TD-SCDMA与WCDMA系统之间的切换–语音业务–PS域业务
基于CAN总线实现多控制器同步写入标定数据的系统及方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

基于CAN总线实现多控制器同步写入标定数据的系统及方法
ISO FDIS 26262-1-2011-Vocabulary

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时间：2019.06.17

上传者：royalark_912907664

ISO/FDIS26262-1道路车辆-功能安全-第1部分：词汇

iso FDIS 26262
应用IPC-A-610的主观能动性

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时间：2019.06.14

上传者：feiniao2008

应用IPC-A-610的主观能动性
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

该型号FDS8949-NL-VB，丝印为VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs(±V

FDS8949NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet

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