原理图资料下载_第110页-面包板社区

【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AO4401-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大工作电压：-30V-最大工作电流：-6A-RDS(ON)：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围：

AO4401VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

4800AGMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
F5-4518_8518 主板硬件原理详细设计

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时间：2019.06.24

上传者：东亚安防

主板上E1转以太网主芯片采用斯达威方案，E1驱动器采用74LS240；SDRAM采用现代公司的HY57V641620HGT-H芯片；FPGA使用的是LATTICE公司的LFEC1E3T144A；以太网
ADSL常用参数详解-20021128

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

关键词：ADSLOperationmodeFastInterleavedNoisemarginTransmitpowerBitswap摘要：本文比较详细的解释了ADSL业务中常见的参数，如交织、快速、
【FDS4897AC-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号FDS4897AC-NL-VB的详细参数和应用简介：**型号：**FDS4897AC-NL-VB**丝印：**VBA5638**品牌：**VBsemi*

FDS4897ACNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559ADY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI4559ADY-T1-E3-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±60V-最大电流：6.5A(N沟道),-5A(P沟道)-开态电阻(RDS(ON))：28

SI4559ADYT1E3VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
电梯无线传输监控方案

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

一:现场基本情况及要求现在有一栋楼24层的家属公寓，为保证居民出入安全和财产安全在出入口大厅内外分别安装一部摄像机，现有两部电梯，每台电梯是独立的电梯井，要对电梯进行24小时实时监控。采用传统安装方法
【AP9997GK-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP9997GK-VB丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：5A-导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ@10V-门源

AP9997GKVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
一种多屏控制设备及同步系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种多屏控制设备及同步系统
电脑芯片级维修点常用工具一览

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

电烙铁维修必备恒温电烙铁936（防静电）维修必备850热风焊枪（防静电）维修必备拆焊贴片元件数字万用表维修必备指针万用表维修必备编程仪维修主板必备用于写bios打阻值卡选配用于板卡维修，打阻值、测信号
【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AM4392N-T1-PF-VB 丝印：VBA1203M 品牌：VBsemi 详细参数说明： -沟道类型：

AM4392NT1PFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559EY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI4559EY-T1-E3(VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别

SI4559EYT1E3 NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【NDT451AN-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：NDT451AN丝印：VBJ1322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：7A-导通电阻：25mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源电压：20V

NDT451AN VBsemi SOT223 mos datasheet
YD T 1436-2006 室外型通信电源系统.

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

YDT1436-2006室外型通信电源系统.
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet