原理图资料下载_第110页-面包板社区

【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

4800AGMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
F5-4518_8518 主板硬件原理详细设计

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时间：2019.06.24

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主板上E1转以太网主芯片采用斯达威方案，E1驱动器采用74LS240；SDRAM采用现代公司的HY57V641620HGT-H芯片；FPGA使用的是LATTICE公司的LFEC1E3T144A；以太网
ADSL常用参数详解-20021128

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时间：2019.06.03

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关键词：ADSLOperationmodeFastInterleavedNoisemarginTransmitpowerBitswap摘要：本文比较详细的解释了ADSL业务中常见的参数，如交织、快速、
【FDS4897AC-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号FDS4897AC-NL-VB的详细参数和应用简介：**型号：**FDS4897AC-NL-VB**丝印：**VBA5638**品牌：**VBsemi*

FDS4897ACNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559ADY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI4559ADY-T1-E3-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±60V-最大电流：6.5A(N沟道),-5A(P沟道)-开态电阻(RDS(ON))：28

SI4559ADYT1E3VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
电梯无线传输监控方案

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时间：2019.06.17

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一:现场基本情况及要求现在有一栋楼24层的家属公寓，为保证居民出入安全和财产安全在出入口大厅内外分别安装一部摄像机，现有两部电梯，每台电梯是独立的电梯井，要对电梯进行24小时实时监控。采用传统安装方法
【AP9997GK-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AP9997GK-VB丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：5A-导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ@10V-门源

AP9997GKVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
一种多屏控制设备及同步系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种多屏控制设备及同步系统
电脑芯片级维修点常用工具一览

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时间：2019.06.10

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电烙铁维修必备恒温电烙铁936（防静电）维修必备850热风焊枪（防静电）维修必备拆焊贴片元件数字万用表维修必备指针万用表维修必备编程仪维修主板必备用于写bios打阻值卡选配用于板卡维修，打阻值、测信号
【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：AM4392N-T1-PF-VB 丝印：VBA1203M 品牌：VBsemi 详细参数说明： -沟道类型：

AM4392NT1PFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4559EY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI4559EY-T1-E3(VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别

SI4559EYT1E3 NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【NDT451AN-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：NDT451AN丝印：VBJ1322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：7A-导通电阻：25mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源电压：20V

NDT451AN VBsemi SOT223 mos datasheet
YD T 1436-2006 室外型通信电源系统.

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时间：2019.06.17

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YDT1436-2006室外型通信电源系统.
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
智能AVC与智能变电站

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时间：2019.06.18

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智能电网的发展，要求有智能AVC。我国电网的AVC应该向AVC二代、三代发展，最后实现全网无功优化调度运行，使电压质量、线路损耗及电网稳定指标同时抵达最好状态。智能变电站的装备及功能应该满足智能AVC
【NDP6020P-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NDP6020P-VB丝印：VBM2309品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：8mΩ@10V，11m

NDP6020PVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IRFL210TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:IRFL210TRPBF丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V -额定电流(ID):1A -开通电阻(RD

IRFL210TRPBFVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet