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一种基于安卓和CAN总线虚拟仪表控制板
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大小:485.37KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种基于安卓和CAN总线虚拟仪表控制板
三相 MOSFET 桥脉冲驱动器 产品说明书
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大小:485.07KB
时间:2023.07.21
上传者:贾智鹏
概述HJG4301是一种三相MOSFET桥脉冲驱动器,采用混合集成电路工艺技术,由智能的集成栅驱动控制和保护电路以及三相MOSFET桥组成,具有高达100V电机电源电压和29A电流输出能力。具有全面的
三相
mosfet
脉冲
驱动器
产品说明书
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:484.69KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:IRF540NSTRPBF丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO2
IRF540NSTRPBF
VBsemi
TO263
mos
datasheet
集群移动通信系统技术体制
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大小:483.78KB
时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
集群移动通信系统技术体制
【AOD408-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:483.5KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AOD408 丝印:VBE1310 品牌:VBsemi 参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-额定电流:70A-导通电阻:
AOD408VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
infoX-EIE V4.1 API接口说明(COM)
所需E币:2
下载:0
大小:483.5KB
时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
为了企业用户更加简便同时又灵活地实现相关的业务,企业业务系统可以接入企业信息机的应用开发接口,这个接口以DLL的方式封装COM组件提供给企业应用系统调用。通过该COM组件封装的对象可以实现短信的发送、
orcad原理图设计规范.
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大小:482.35KB
时间:2023.02.22
上传者:张红川
orcad原理图设计规范.
orcad
原理图设计
规范
基于单片机的 高精度超声波测距电路+源码
所需E币:6
下载:1
大小:481.87KB
时间:2019.06.03
上传者:feiniao2008
本文阐述了超声波测距原理,介绍了如何用单片机实现高精度超声波测距的具体电路,分析了其各单元工作原理,并给出了其程序流程图和源程序。
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
所需E币:0
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大小:481.61KB
时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
XPD319
规格书
usb
TypeC
pd
多协议控制器
【FDS6673BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:481.48KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:FDS6673BZ-NL丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-11A -开通电阻(R
FDS6673BZNLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
深圳华为PCB设计规范
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大小:481.36KB
时间:2019.05.22
上传者:feiniao2008
深圳华为PCB设计规范
【SI4953ADY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:480.86KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:该型号VBsemiSI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道,工作电压为-30V,最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ,在
SI4953ADYT1E3VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
冗余在自动化领域的应用
所需E币:4
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大小:480.64KB
时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
对很多工业和商业信息备份系统来说,冗余是目前最热门的话题之一。特别是越来越多具有以太网接口的工业设备出现。事实上,随着工业自动化的硬件和软件的快速发展,需要管理员在网络监视和管理方面考虑的最多的就是,
【AO4430-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:480.64KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AO4430丝印:VBA1303品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:18A-导通电阻:5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压:20Vg
AO4430VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
B-LUX-V30B环境光传感器
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时间:2019.06.18
上传者:royalark_912907664
B-LUX-V30B环境光传感器
B-LUX-V30B
环境光
传感器
【STM4639-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
STM4639详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类
STM4639VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【MMDF3P03HDR2G-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:480.17KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:MMDF3P03HDR2G-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-类型:2个P沟道-额定电压(Vds):-30V-最大持续电流(Id):-7A-导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@
MMDF3P03HDR2GVB
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沟道
SOP8
封装
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