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东芝2SC2712晶体管datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
【AP4563GH-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：AP4563GH丝印：VBE5415品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±40V-最大电流：50A/-50A-导通电阻：15mΩ@10V,18.75mΩ@4

AP4563GH NP VBsemi TO2525 mos datasheet
电子设备热设计规范

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时间：2019.05.23

上传者：feiniao2008

本规范明确了电子设备热设计的指标要求和热设计流程，并提供了热设计的基本理论、热设计的三种方法和要求，即热分析计算、计算机热仿真、热模拟测试及热测试。本规范适用于深圳市中兴通讯股份有限公司本部事业部在产
【STN4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STN4828-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-最大电流：6A-RDS(ON)：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范围：

STN4828VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
YD T 1376－2005通信用直流－直流模块电源（代732－94）

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

YDT1376－2005通信用直流－直流模块电源（代732－94）
Microcontrol -- 采用MSP430 ADC外设实现高精度测量

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

Microcontrol--采用MSP430ADC外设实现高精度测量
CS5263替代IT6563开发DP to HDMI转换芯片设计原理图

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时间：2023.03.06

上传者：QQ1540182856

CS5263原理图，CS5263设计电路图，替代IT6563方案设计，DPtoHDMI转换芯片方案设计开发资料

CS5263 替代IT6563 DP 13083 cs5263芯片设计原理图
一种可视化软硬件协同开发方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种可视化软硬件协同开发方法
符合民用飞机不同软件等级要求的软件运行控制系统与方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

符合民用飞机不同软件等级要求的软件运行控制系统与方法
【AOD2610-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD2610丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：60A-RDS(ON)：9mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

AOD2610VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
多屏幕同步触控方法、装置及系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

多屏幕同步触控方法、装置及系统
【ME9435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：ME9435丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-6A-导通电阻：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20V

ME9435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SI9424DY-T1-E3-VB-丝印：VBA2216-品牌：VBsemi-参数：P沟道，-20V，-8A，RDS(ON)，16mΩ@4.5V，19.2mΩ@2.5V，15Vg

SI9424DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
op07d.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

op07dpdf
【IRF7404TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF7404TRPBF-VB丝印:VBA2216品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-8A-静态导通电阻(RDS(ON)):16mΩ@4.5V,1

IRF7404TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4948BEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-60V-最大持续电流（Id）：-5.3A-导通电阻（RDS(ON)）：5

SI4948BEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDT86113LZ-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDT86113LZ丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：5A-导通电阻：100mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源

FDT86113LZVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet