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基于AVR单片机的汽车空调控制系统资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
基于AVR单片机的汽车空调控制系统资料
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:466.37KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V;门源电压范围:20Vgs
SI4435DYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NCE2014ES-VB 丝印:VBA1206 品牌:VBsemi 参数说明:-类型:N沟道 -额定电压:20V -额定电流:15A
NCE2014ESVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH
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时间:2022.04.02
上传者:Argent
HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明:P沟道,-30V,-7A,导通电阻23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.37V,封装:
IRF7416TRPBF
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
PIC16F873-874-876-877_cn.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
PIC16F873874876877cnpdf
TL082.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TL082pdf
一种基于智能眼镜的多屏同步系统以及多屏同步方法
所需E币:3
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大小:463.6KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种基于智能眼镜的多屏同步系统以及多屏同步方法
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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大小:463.34KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSP030参数:N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介:BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M
BSP030
VBsemi
SOT223
mos
datasheet
W-确定功率配比关系下导频接收强度要求分析指导书-20041101-A-2.0
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大小:462.44KB
时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
目的与范围在WCDMA系统中,导频信道P-CPICH是重要的指示信道,UE利用导频信道的强度测量结果进行小区选择重选、切换等过程。对导频信道强度要求进行分析,有利于我们在网络规划优化中明确网络建设需求
【SI4825DDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI4825DDY-T1-E3-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-开态电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
SI4825DDYT1E3VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
基于SDI5229TS的额温枪设计方案
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大小:462.16KB
时间:2020.11.25
上传者:solidic
本方案讲述一款国产集成24位ADC的SOC芯片SDI5229TS开发的额温枪方案,该SOC芯片内置3通道24位Sigma-Delta高精度低电压24位ADC、4COM*20SEG液晶驱动、30K字节F
额温枪方案
额温枪设计
体温枪方案
体温检测仪方案
额温枪芯片
SDI5229TS
W-(高培)寻呼过程分析指导书-20041101-A-2.0
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
寻呼过程分析寻呼的发起寻呼过程使用寻呼控制信道发送寻呼信息给处于空闲模式、CELL_PCH或者URA_PCH状态的UE。CN可能请求寻呼,比如建立一个信令连接。UTRAN也可以对处于CELL_PCH或
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
STP30NF20(VBM1208N)参数说明:N沟道,200V,35A,导通电阻58mΩ@10V,20Vgs(±V),阈值电压3V,封装:TO220。应用简介:STP30NF20适用于高电压应用,如
STP30NF20
VBsemi
to220
mos
datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:APM2321AAC-TRL-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大连续电流:-5.6A-静态开启电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,5
APM2321AACTRLVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
lcd7ctp05_v20_原理图_20160506.pdf
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时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
lcd7ctp05v20
原理图
20160506pdf
MSP430F5-15-USRT通用串行接口模块
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
MSP430F5-15-USRT通用串行接口模块
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