原理图资料下载_第116页-面包板社区

焊盘设计和工艺指南

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时间：2019.06.10

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基本介绍QFN（QuadFlatNoLead）是一种相对比较新的IC封装形式，但由于其独特的优势，其应用得到了快速的增长。QFN是一种无引脚封装，它有利于降低引脚间的自感应系数，在高频领域的应用优势明
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
基于AVR单片机的汽车空调控制系统资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

基于AVR单片机的汽车空调控制系统资料
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE2014ES-VB 丝印：VBA1206 品牌：VBsemi 参数说明：-类型：N沟道 -额定电压：20V -额定电流：15A

NCE2014ESVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH

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时间：2022.04.02

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HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：

IRF7416TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
PIC16F873-874-876-877_cn.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

PIC16F873874876877cnpdf
TL082.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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一种基于智能眼镜的多屏同步系统以及多屏同步方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种基于智能眼镜的多屏同步系统以及多屏同步方法
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP030参数：N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M

BSP030 VBsemi SOT223 mos datasheet
W-确定功率配比关系下导频接收强度要求分析指导书-20041101-A-2.0

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

目的与范围在WCDMA系统中，导频信道P-CPICH是重要的指示信道，UE利用导频信道的强度测量结果进行小区选择重选、切换等过程。对导频信道强度要求进行分析，有利于我们在网络规划优化中明确网络建设需求
【SI4825DDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4825DDY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V

SI4825DDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
基于SDI5229TS的额温枪设计方案

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时间：2020.11.25

上传者：solidic

本方案讲述一款国产集成24位ADC的SOC芯片SDI5229TS开发的额温枪方案，该SOC芯片内置3通道24位Sigma-Delta高精度低电压24位ADC、4COM*20SEG液晶驱动、30K字节F

额温枪方案额温枪设计体温枪方案体温检测仪方案额温枪芯片 SDI5229TS
W-(高培)寻呼过程分析指导书-20041101-A-2.0

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

寻呼过程分析寻呼的发起寻呼过程使用寻呼控制信道发送寻呼信息给处于空闲模式、CELL_PCH或者URA_PCH状态的UE。CN可能请求寻呼，比如建立一个信令连接。UTRAN也可以对处于CELL_PCH或
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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