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【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SQD40P10-40L-GE3-VB丝印:VBE2104N品牌:VBsemi参数:P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.
SQD40P1040LGE3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
电子密码锁1602液晶显示资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
随着社会物质财富的日益增长和人们生活水平的提高,安全成为现代居民最关心的问题之一。而锁自古以来就是把守门的铁将军,人们对它要求甚高,即要求可靠地防盗,又要使用方便,这也是制锁者长期以来研制的主题。传统
【IRF530NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS
IRF530NPBFVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
混合矩阵说明书
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时间:2019.06.12
上传者:东亚安防
MultiViewMatrix系列混合矩阵切换器,是一款高性能的专业PC信号切换设备,用于多个PC信号输入输出交叉切换,提供四种信号源的输入,信号源分别是是Video,VGA,DVI,YPbPr,每种
TL494.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TL494pdf
【SQD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SQD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-50A-导通电阻:20mΩ@10V,25mΩ@4.
SQD50P0615LGE3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【KD3422A-VB】N沟道SOT23-3L封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:KD3422A-VB丝印:VBB1630品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:5.5A-导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,36mΩ@4.
KD3422AVB
沟道
SOT233L
封装
mos
datasheet
YD T 1360-2005通信用阀控式密封胶体蓄电池
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时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
YDT1360-2005通信用阀控式密封胶体蓄电池
调幅发射机电路的设计
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时间:2019.05.28
上传者:feiniao2008
简易调幅发射机,由调幅信号源和高频高效功率放大器组成。调幅信号源由LC振荡电路产生正弦波;锁相环芯片MC145152和双模分频器MC12017组成锁相环,将载波频率精确的锁定在15MHz,输出载波的稳
中国电信【〔2009〕553号】数据用网络机柜和电源列规技术规范
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时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
中国电信【〔2009〕553号】数据用网络机柜和电源列规技术规范.
【STP80NF55-08-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STP80NF55-08-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:120A-静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@10V-静态导通电阻(
STP80NF5508VB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
多屏幕信号处理装置以及多屏幕系统
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
多屏幕信号处理装置以及多屏幕系统
-一种触摸屏防误操作方法、装置和系统
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
-一种触摸屏防误操作方法、装置和系统
【TJ30S06M3L-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:TJ30S06M3L丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-50A-RDS(ON):20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压范围:2
TJ30S06M3LVB
沟道
TO252
封装
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datasheet
利尔达 -- 启动程序加载器在MSP430F硬件和软件中的应用建议
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
利尔达--启动程序加载器在MSP430F硬件和软件中的应用建议
【AO3422-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO3422-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON))
AO3422VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
3G基础知识(1)
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
移动通信发展过程3G目标、3G伙伴、3G名词3G系统概述宽带CDMA三大标准之WCDMA三大标准之CDMA2000三大标准之TD-SCDMA3G频谱划分3G直放站命名办法几个重要指标3G直放站技术
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