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IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的MOS管产品，型号为IRFR9120NTRPBF，丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型，具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压，能够承受高达-10A

IRFR9120NTRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5216电路|CS5216 demoboard参考电路|CS5216 电路设计方案

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时间：2021.05.21

上传者：QQ1659747718

CS5216是一款单端口HDMI/DVI电平转换器/中继器，具有重新定时功能。它支持交流和直流耦合TMDS信号高达3.0-Gbps的操作与可编程均衡和抖动清洗。它包括2路双模DP电缆适配器

CS5216 CS5216电路 CS5216demoboard CS5216设计方案
48V输入28V20A双管正激多路输出

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时间：2021.07.27

上传者：luck_gfb

48V输入28V20A双管正激多路输出

48v 输入 28V20A 双管正激多路输出
C8051F系列应用笔记AN001 配置端口 IO 交叉开关译码器

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN001配置端口IO交叉开关译码器
【CEM4953-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CEM4953-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48mΩ@

CEM4953VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
一种用于提高可靠性的软硬件协同容错系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种用于提高可靠性的软硬件协同容错系统
CS5211替代CH7511B设计开发EDP转LVDS接口转接芯片原理图

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时间：2021.06.18

上传者：qq2755130042

CS5211用于设计DP转LVDS转换器,DP转LVDS控制板,DP转LVDS转接板等产品设计,其性能和参数可以替代与兼容PS8622,PS8625,CH7511等方案芯片。

CS5211 替代CH7511B eDP转LVDS LVDS接口转接 CS5211原理图
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
max232.pdf

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时间：2021.04.25

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

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MAX232.pdf

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时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【SUD50P04-13L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(

SUD50P0413LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
无线AP覆盖方案

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

目录一、概述1二、网络现状及需求分析32．1无线网络需求分析32．2无线网络覆盖范围需求4三、WLAN网络设计原则4四、WLAN网络设计方64.1网络架构选择64.2网络管理设计74.2.1集中式管理
【IRFR120NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFR120NTRPBF(VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。应用

IRFR120NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
一种基于CAN总线的多设备同步电路

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种基于CAN总线的多设备同步电路
【IRFB31N20DPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：-最大耐压（VDS）：200V-最大电流（ID）：35A-导通电阻（R

IRFB31N20DPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
200910151610-LLC拓扑效率优化方法、系统及LLC拓扑系统

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

200910151610-LLC拓扑效率优化方法、系统及LLC拓扑系统

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