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  • 【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：459.67KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I
    IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
  • GSM原理介绍
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    GSM的典型系统组成如下图所示。一个GSM系统可由三个子系统组成，即操作支持子系统(OSS)，基站子系统(BSS)和网路子系统(NSS)三部分组成。其中，基站子系统BSS是GSM系统中与无线蜂窝方面关
  • 开关电源PCB的设计
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    时间：2019.06.14
    上传者：feiniao2008
    设计高频开关稳压电源供应器时，线路布局是相当重要的一环。好的线路布局可以解决许多电源供应器的问题；设计不够周到的线路布局会产生各式各样的问题。这种问题尤其容易在高电流操作的环境下产生，而当输入/输出电
  • STM32F103x6 8 B 增强型 32位基于ARM核心的带闪存 USB CAN的微控制器
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    时间：2019.06.17
    上传者：royalark_912907664
    STM32F103x68B增强型32位基于ARM核心的带闪存USBCAN的微控制器
    stm32f103 arm 微控制器
  • 【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：458.36KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON
    FDD6637VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：458.02KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs
    SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 11种简易实用小型开关电源原理图
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    大小：457.5KB
    时间：2020.06.09
    上传者：sense1999
    11种简易实用小型开关电源原理图
    11种 简易 实用 小型 开关电源原理图
  • 电梯无线远程监控系统方案
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    大小：457.26KB
    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    电梯的安全运行管理已经成为了一个不容忽视的重要问题。电梯运行的安全性、可靠性及科学化管理等问题需要急于解决。现在大多数电梯监测系统设备，只能处于实时监测电梯、并非真正意义上的监控，所谓监控，即：监测和
  • 【STB60N06-14-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4
    STB60N0614VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • 单片机自动控制交通灯及时间显示资料.
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    大小：456.56KB
    时间：2019.06.06
    上传者：feiniao2008
    交通的发达，标志着城市的发达，相对交通的管理则显得越来越重要。对于复杂的城市交通系统，为了确保安全，保证正常的交通秩序，十字路口的信号控制必需按照一定的规律变化，以便于车辆行人能顺利地通过十字路口。考
  • CDMA工程设计
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    图10.36在不同Eb/N0下CDMA接收机所需的信号功率与用户数之间的关系左图为当MdB为0.93时不同Eb/N0下的曲线，其它参数为F=1.55，αr=0.4，PG=128。这是的容限MdB对应于
  • GSM直放站监控管理-京信
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    2G2G网络在建设初期由于没有进行监控管理规划，导致后期运行维护极为困难；●2G2G网络的监控目前大多还停留在网元管理层面；●3G3G直放站网络建设需要考虑实现两级管理（网元管理和网络管理）模式；
  • 二极管封装
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    1.塑封整流二极管序号型号IFVRRMVFTrr外形AVVμs11A1-1A71A50-1000V1.1R-121N4001-1N40071A50-1000V1.1DO-4131N5391-1N539
  • 【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
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    大小：455.17KB
    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S
    SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
  • LC与晶体振荡器实验
    所需E币：1
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    大小：454.41KB
    时间：2019.05.28
    上传者：feiniao2008
    一、实验目的1）、了解电容三点式振荡器和晶体振荡器的基本电路及其工作原理。2）、比较静态工作点和动态工作点，了解工作点对振荡波形的影响。3）、测量振荡器的反馈系数、波段复盖系数、频率稳定度等参数。4）
  • 【IRFR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：454.16KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下：-极性：N沟道-工作电压：60V-额定电流：18A-开通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-
    IRFR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
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    大小：454.13KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V
    IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
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