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  • 【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：453.76KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8
    NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    大小：453.07KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-
    FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • 数字机顶盒硬件结构
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    大小：452.78KB
    时间：2021.04.16
    上传者：西风瘦马
    传统数字机顶盒硬件结构
    数字机顶盒 硬件 结构
  • 【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    大小：452.72KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ
    NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf
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    大小：452.65KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    H5TQ4G4863AFRRev10pdf
  • 摄像机培训资料
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    时间：2019.06.12
    上传者：东亚安防
    产品构成汉邦高科CCTV系统主要包括：闭路电视监控摄像机（包括半球机、枪机、红外一体机、一体机）智能高速球智能图象识别系统网络摄像机及网络视频编解码设备DVR监视器矩阵镜头周边器材
  • Mapinfo地图转换成Google_Earth地图的方法
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    大小：451.95KB
    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    Mapinfo地图转换成Google_Earth地图的方法
  • STC12C5A60S2开发板双485带串口原理图
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    大小：451.48KB
    时间：2020.06.19
    上传者：zendy_731593397
    STC12C5A60S2开发板双485带串口原理图
    stc12c5a60s2 开发板 485 串口 原理图
  • TD-SCDMA鼎桥610开通手册
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    大小：451.13KB
    时间：2019.06.05
    上传者：东亚安防
    610开通流程（正常）1、CCB在出厂调试时已有前台软件（B040），使用新的LMT-B（根据现网版本）登录2、执行FORMAT命令
  • FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：451.06KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD
    FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
  • 【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：450.95KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.
    SQD40P1040LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 电子密码锁1602液晶显示资料
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    大小：450.36KB
    时间：2019.06.06
    上传者：feiniao2008
    随着社会物质财富的日益增长和人们生活水平的提高，安全成为现代居民最关心的问题之一。而锁自古以来就是把守门的铁将军，人们对它要求甚高，即要求可靠地防盗，又要使用方便，这也是制锁者长期以来研制的主题。传统
  • 【IRF530NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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    大小：450.1KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS
    IRF530NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
  • 混合矩阵说明书
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    大小：450KB
    时间：2019.06.12
    上传者：东亚安防
    MultiViewMatrix系列混合矩阵切换器，是一款高性能的专业PC信号切换设备，用于多个PC信号输入输出交叉切换，提供四种信号源的输入，信号源分别是是Video，VGA,DVI,YPbPr，每种
  • TL494.pdf
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    大小：449.74KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    TL494pdf
  • 【SQD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：449.72KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：SQD50P06-15L-GE3丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.
    SQD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【KD3422A-VB】N沟道SOT23-3L封装MOS管Datasheet
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    大小：449.41KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：KD3422A-VB丝印：VBB1630品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：5.5A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,36mΩ@4.
    KD3422AVB 沟道 SOT233L 封装 mos datasheet
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