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    时间:2019.06.04
    上传者:东亚安防
    图10.36在不同Eb/N0下CDMA接收机所需的信号功率与用户数之间的关系左图为当MdB为0.93时不同Eb/N0下的曲线,其它参数为F=1.55,αr=0.4,PG=128。这是的容限MdB对应于
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    时间:2019.06.03
    上传者:东亚安防
    2G2G网络在建设初期由于没有进行监控管理规划,导致后期运行维护极为困难;●2G2G网络的监控目前大多还停留在网元管理层面;●3G3G直放站网络建设需要考虑实现两级管理(网元管理和网络管理)模式;
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    1.塑封整流二极管序号型号IFVRRMVFTrr外形AVVμs11A1-1A71A50-1000V1.1R-121N4001-1N40071A50-1000V1.1DO-4131N5391-1N539
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    时间:2023.12.28
    上传者:VBsemi
    SPD30P06PG(VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。应用简介:S
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    时间:2019.05.28
    上传者:feiniao2008
    一、实验目的1)、了解电容三点式振荡器和晶体振荡器的基本电路及其工作原理。2)、比较静态工作点和动态工作点,了解工作点对振荡波形的影响。3)、测量振荡器的反馈系数、波段复盖系数、频率稳定度等参数。4)
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下:-极性:N沟道-工作电压:60V-额定电流:18A-开通电阻:73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    型号:IRLR024NTRPBF-VB丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:60V-额定电流:18A-导通电阻:73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压:20V
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    时间:2024.02.28
    上传者:VBsemi
    型号:NID6002NT4G-VB丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:18A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):73mΩ@10V,8
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:FDT434P-NL-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi参数:-P沟道-工作电压:-40V-工作电流:-6A-开通电阻:42mΩ(@10V),49mΩ(@4.5V)-门楼电压:±20V-
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    时间:2021.04.16
    上传者:西风瘦马
    传统数字机顶盒硬件结构
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:NDT456P-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi参数:-类型:P沟道-额定电压(Vds):-40V-最大持续电流(Id):-6A-导通电阻(RDS(ON)):42mΩ@10V,49mΩ
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2019.06.12
    上传者:东亚安防
    产品构成汉邦高科CCTV系统主要包括:闭路电视监控摄像机(包括半球机、枪机、红外一体机、一体机)智能高速球智能图象识别系统网络摄像机及网络视频编解码设备DVR监视器矩阵镜头周边器材
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    时间:2019.06.04
    上传者:东亚安防
    Mapinfo地图转换成Google_Earth地图的方法
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    时间:2020.06.19
    上传者:zendy_731593397
    STC12C5A60S2开发板双485带串口原理图
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    时间:2019.06.05
    上传者:东亚安防
    610开通流程(正常)1、CCB在出厂调试时已有前台软件(B040),使用新的LMT-B(根据现网版本)登录2、执行FORMAT命令
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管,其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管,具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V,最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻(RD