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【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
LC与晶体振荡器实验

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时间：2019.05.28

上传者：feiniao2008

一、实验目的1）、了解电容三点式振荡器和晶体振荡器的基本电路及其工作原理。2）、比较静态工作点和动态工作点，了解工作点对振荡波形的影响。3）、测量振荡器的反馈系数、波段复盖系数、频率稳定度等参数。4）
【IRFR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下：-极性：N沟道-工作电压：60V-额定电流：18A-开通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-

IRFR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-

FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
数字机顶盒硬件结构

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时间：2021.04.16

上传者：西风瘦马

传统数字机顶盒硬件结构

数字机顶盒硬件结构
【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ

NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

H5TQ4G4863AFRRev10pdf
摄像机培训资料

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

产品构成汉邦高科CCTV系统主要包括：闭路电视监控摄像机（包括半球机、枪机、红外一体机、一体机）智能高速球智能图象识别系统网络摄像机及网络视频编解码设备DVR监视器矩阵镜头周边器材
Mapinfo地图转换成Google_Earth地图的方法

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

Mapinfo地图转换成Google_Earth地图的方法
STC12C5A60S2开发板双485带串口原理图

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时间：2020.06.19

上传者：zendy_731593397

STC12C5A60S2开发板双485带串口原理图

stc12c5a60s2 开发板 485 串口原理图
TD-SCDMA鼎桥610开通手册

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

610开通流程（正常）1、CCB在出厂调试时已有前台软件（B040），使用新的LMT-B（根据现网版本）登录2、执行FORMAT命令
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD

FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.

SQD40P1040LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
电子密码锁1602液晶显示资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

随着社会物质财富的日益增长和人们生活水平的提高，安全成为现代居民最关心的问题之一。而锁自古以来就是把守门的铁将军，人们对它要求甚高，即要求可靠地防盗，又要使用方便，这也是制锁者长期以来研制的主题。传统
【IRF530NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS

IRF530NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet