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B-LUX-V30B环境光传感器

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时间：2019.06.18

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B-LUX-V30B环境光传感器

B-LUX-V30B 环境光传感器
【STM4639-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

STM4639详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-11A-导通电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V)-封装类

STM4639VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MMDF3P03HDR2G-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MMDF3P03HDR2G-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@

MMDF3P03HDR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4410-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4410丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO4410VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTMD4840NR2G-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)

NTMD4840NR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
危险气体泄露报警器设计资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

可燃气体报警自动启停抽排风装置，是通过实时检测油气生产和处理装置现场安装的可燃气体报警探头或火焰探头的输出信号，判断各点的天然气浓度是否达到报警状态。一旦现场某一点或多点的可燃气体浓度达到报警状态，现
【AO4409-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AO4409详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类型

AO4409VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR4620TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

IRFR4620TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-额定电流：25A-导通电阻：54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：3.2Vth(V

IRFR4620TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【HAT1024RJ-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：HAT1024RJ-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-静态开启电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V

HAT1024RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CD4514BC点阵

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

CD4514BC•CD4515BC4-BitLatched/4-to-16LineDecoders
利用自容特性的多屏同步触控装置及方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

利用自容特性的多屏同步触控装置及方法
【QBCU 008-2010】中国联通绿色IDC技术规范v1.0

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

【QBCU008-2010】中国联通绿色IDC技术规范v1.0
【RSD050N10TL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：RSD050N10TL丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-

RSD050N10TLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR3410TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

IRLR3410TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(

IRLR3410TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【PHP225-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PHP225-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-7A-静态导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@1

PHP225VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MMSF7P03HDR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：MMSF7P03HDR2G-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**

MMSF7P03HDR2GVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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