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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    本章围绕绘制一幅555原理图展开对电路设计流程的具体分析,尽管555原理图非常简单,但是读者不妨按照本节介绍的具体操作步骤,另找一份比较复杂的原理图试着绘制自己的第一张原理图,就能基本上领会原理图设计
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    时间:2019.06.18
    上传者:东亚安防
    随着电力事业的迅速发展,用户对供电质量和供电可靠性的要求越来越高。城市电网改造对提高城市配网自动化技术与可靠性提出了亟待解决而且必须解决好的课题,同时也带来了前所未有的发展机遇。城市电网应在未来的几年
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-开态电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8
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    时间:2024.05.16
    上传者:张红川
    电源寿命的元件:电解、开关、风扇、热敏、光耦!.docx
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2020.06.24
    上传者:Argent
    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2019.06.03
    上传者:东亚安防
    Eb/N0(每比特能量噪声比):CDMA系统中除信噪比外另一表示信号与噪声间强弱关系的参数。Eb代表平均到每个比特上的功率密度,N0代表噪声的功率密度。远近效应:主要发生在上行链路。离基站近的移动台的
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    型号:FDS4435A-NL-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻: -RDS(ON):23mΩ@10V -RD
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    时间:2019.06.18
    上传者:东亚安防
    YD5167-2009通信用柴油发电机组消噪音工程设计暂行规定
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:IRLM2502TRPBF-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33m
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    型号:SI2312DS-T1-GE3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-**N沟道:**该器件是一种N沟道MOSFET,电流在N沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-*
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    时间:2022.04.02
    上传者:Argent
    BearPi-HM_Nano原理图
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    时间:2019.06.04
    上传者:东亚安防
    寻呼区域介绍在WCDMA中存在多种区域概念,如:BSCarea,RNCarea,locationarea(LA),routingarea(RA),MSCarea,VLRarea,SGSNarea,Zo
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2019.06.28
    上传者:royalark_912907664
    一种多屏互动方法及系统
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:PHD78NQ03LT-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:30V-最大持续电流:60A-开通电阻(RDS(ON)):10mΩ@10Vgs、11mΩ@4
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    时间:2019.06.28
    上传者:royalark_912907664
    C8051F系列应用笔记AN002配置内部和外部振荡器