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DXP学习-第3章_电路原理图
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
本章围绕绘制一幅555原理图展开对电路设计流程的具体分析,尽管555原理图非常简单,但是读者不妨按照本节介绍的具体操作步骤,另找一份比较复杂的原理图试着绘制自己的第一张原理图,就能基本上领会原理图设计
新型工业以太网在电力配网自动化中的应用
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下载:1
大小:435.5KB
时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
随着电力事业的迅速发展,用户对供电质量和供电可靠性的要求越来越高。城市电网改造对提高城市配网自动化技术与可靠性提出了亟待解决而且必须解决好的课题,同时也带来了前所未有的发展机遇。城市电网应在未来的几年
【SI2302ADS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:435.33KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-开态电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8
SI2302ADST1GE3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
电源寿命的元件:电解、开关、风扇、热敏、光耦!.docx
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时间:2024.05.16
上传者:张红川
电源寿命的元件:电解、开关、风扇、热敏、光耦!.docx
电源
寿命
元件
电解
开关
风扇
热敏
光耦
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RTL8188CUS_DataSheet_1.0.pdf
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时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
RTL8188CUSDataSheet10pdf
AT89S52.pdf
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大小:434.6KB
时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
AT89S52pdf
3G基础知识(2)
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
Eb/N0(每比特能量噪声比):CDMA系统中除信噪比外另一表示信号与噪声间强弱关系的参数。Eb代表平均到每个比特上的功率密度,N0代表噪声的功率密度。远近效应:主要发生在上行链路。离基站近的移动台的
【FDS4435A-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:FDS4435A-NL-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻: -RDS(ON):23mΩ@10V -RD
FDS4435ANLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
YD 5167-2009 通信用柴油发电机组消噪音工程设计暂行规定
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
YD5167-2009通信用柴油发电机组消噪音工程设计暂行规定
【IRLM2502TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRLM2502TRPBF-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33m
IRLM2502TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SI2312DS-T1-GE3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-**N沟道:**该器件是一种N沟道MOSFET,电流在N沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-*
SI2312DST1GE3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
BearPi-HM_Nano原理图
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时间:2022.04.02
上传者:Argent
BearPi-HM_Nano原理图
BearPiHMNano
原理图
W-寻呼区域规划指导书
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大小:434KB
时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
寻呼区域介绍在WCDMA中存在多种区域概念,如:BSCarea,RNCarea,locationarea(LA),routingarea(RA),MSCarea,VLRarea,SGSNarea,Zo
UC3845.pdf
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大小:433.97KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
UC3845pdf
一种多屏互动方法及系统
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种多屏互动方法及系统
【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:PHD78NQ03LT-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:30V-最大持续电流:60A-开通电阻(RDS(ON)):10mΩ@10Vgs、11mΩ@4
PHD78NQ03LTVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
C8051F系列应用笔记AN002 配置内部和外部振荡器
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大小:433.02KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
C8051F系列应用笔记AN002配置内部和外部振荡器
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