原理图资料下载_第124页-面包板社区

【MTD20N03HDLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MTD20N03HDLT4G-VB 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数说明：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：7

MTD20N03HDLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
大功率半导体器件用散热器风冷热阻计算

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时间：2019.05.23

上传者：feiniao2008

大功率半导体器件的各种应用中，热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传
一种电路原理图

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时间：2023.01.06

上传者：张红川

一种电路原理图的sch.pcb资料

一种电路原理图
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet
原理图在线锁全部.pdf

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时间：2021.09.29

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，

原理图线锁全部 pdf
DB2876 Discovery kit with STM32F769NI MCU

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时间：2019.06.14

上传者：royalark_912907664

DB2876DiscoverykitwithSTM32F769NIMCU

discovery STM32F769NI mcu
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-100V-最大漏极电流：-18A-导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs

IRF9530NPBF VBsemi to220 mos datasheet
Cisco 2800系列交换机操作手册

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

Cisco2800系列交换机进行了专门的优化，可安全、线速地提供数据、语音和视频并发服务，重新定义了最佳大型企业和中小型企业路由。Cisco2800系列集成多业务路由器建立在思科20年的领先地位及创新
LED道路隧道照明产品节能认证规则

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LED道路隧道照明产品节能认证规则
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4330KC-TRL-VB丝印：VBA1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：18A-RDS(ON)：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压：20V

APM4330KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4437-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4437-VB丝印：VBA2216品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-8A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：16mΩ@4.5V，19.2

AO4437VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTD5865NL-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTD5865NL-1G-VB丝印：VBFB1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：50A-开通电阻：10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

NTD5865NL1GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
F240 DSK Technical Reference.pdf

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时间：2022.03.10

上传者：samewell

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TH12864-15.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TH1286415pdf
【SI4465ADY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:SI4465ADY-T1-E3-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@10

SI4465ADYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ME2323D-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME2323D-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-开态电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V

ME2323DVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AF2301P-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AF2301P-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ

AF2301PVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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