原理图资料下载_第127页-面包板社区

【IRF530S-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:IRF530S-VB丝印:VBL1101M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:20A-静态导通电阻(RDS(ON)):100mΩ@10V-静态导通电阻(RD

IRF530SVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【APM9435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM9435KC-TRL-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：40mΩ@10

APM9435KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTD5865NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD5865NLT4G-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：60A-静态开启电阻(RDS(ON))：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-

NTD5865NLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FQD50N06-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD50N06-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：60A-开启电阻：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-门源极最大电压：20V

FQD50N06VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
SkyLab高灵敏度、低功耗15.9*13.1小尺寸GPS定位模块SKG16A规格书文档

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时间：2020.05.27

上传者：帘卷笙声寂

SKG16A是一款完整的GPS模块，具有高灵敏度、低功耗、小型化、其极高追踪灵敏度大大扩大了其定位的覆盖面，在普通GPS接收模块不能定位的地方，如狭窄都市天空下、密集的丛林环境，SKG16A都能高精度
MT3339方案单GPS模块，小尺寸低功耗支持天线检测定位模组SKG09A

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时间：2020.03.20

上传者：帘卷笙声寂

GPS导航模块就是集成了RF射频芯片、基带芯片和核心CPU，并加上相关外围电路而组成的一个集成电路。 SKG09A是一款完整的GP
【STN3NF06L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：STN3NF06L丝印：VBJ1638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-RDS(ON)：24mΩ@10V，27mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

STN3NF06LVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
C8051F系列应用笔记AN019 计算开关电容 ADC 的建立时间

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN019计算开关电容ADC的建立时间
【2N7002ET1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTMS4177PR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTMS4177PR2G-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

NTMS4177PR2GVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
24c02.pdf

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时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

24c02pdf
【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI9435BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-导通电阻：40mΩ（在10V下）-导通电阻：54mΩ（在4.5V下

SI9435BDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI9435DY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-开通电阻：40mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)-

SI9435DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7205TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7205TRPBF-VB 丝印：VBA2333 品牌：VBsemi 参数：P沟道，-30V，-6A，RDS(ON)，40m

IRF7205TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
TD流程图

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

TD流程图CS域主叫、被叫PS域业务建立过程CS呼叫释放PS呼叫释放CS的RNC内部接力切换CS的RNC间硬切换CS域3G至2G的切换PS域3G至2G的切换PS域RNC内的切换PS域RNC间的切换
【IRF7328TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7328TRPBF-VB丝印：VBA4317品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-8.5A-开态电阻(RDS(ON))：21mΩ@10V,28mΩ@4.5V

IRF7328TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
RE004601 CDMA1X话统分析ISSUE2.0

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

实现前台业务模块与后台BAM的接口，为原始指标的收集者，OM保存所有原始计数器的值；各指标及时刷新，定时上报（30分钟上报一次）；话统任务主要的处理板为SPU、RMU、PPU、PCU；其中SPU为基本