原理图资料下载_第125页-面包板社区

【FTP540-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FTP540-VB丝印：VBM1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：55A-静态开启电阻(RDS(ON))：36mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源极

FTP540VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
单片机串行通信发射机

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时间：2019.05.27

上传者：feiniao2008

单片机串行通信发射机采用串行工作方式，发射并显示两位数字信息，既显示00-99，使数据能够在不同地方传递。硬件部分主要分两大块，由AT89C51和多个按键组成的控制模块，包括时钟电路、控制信号电路，时
【IPD036N04LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

参数说明：-型号：IPD036N04LG-VB-丝印：VBE1405-品牌：VBsemi-N沟道-最大额定电压：40V-最大额定电流：85A-RDS(ON)：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vg

IPD036N04LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
MSP430F5-12-TA定时器A

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

MSP430F5-12-TA定时器A
【IRLMS2002TRPBF-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRLMS2002TRPBF-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：6A-RDS(ON)：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压（Vgs

IRLMS2002TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IRF7425TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7425TRPBF-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1

IRF7425TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

RadarSensorsARS40821cn 数据手册
pcie_baseboad_for_arduino-v1.1原理图.pdf

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时间：2019.11.01

上传者：星空下的屋顶

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F4-51 产品检测方法和接收准则

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

连通测试先不上电，按照下面拓扑图将设备连接：连接完毕，经检查无误后，对设备上电，进行连通测试。将两台设备同时设置为透明模式，数据包长度设为65500bytes，发送1000个数据包，计算丢包率；在成帧
【IRFR4104TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

IRFR4104TRPBF-VB是一款由品牌VBsemi生产的N沟道场效应管。它的丝印为VBE1405，型号为TO252。它的主要参数包括工作电压40V、最大漏极电流85A、漏极-源极电阻(RDS(O

IRFR4104TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【TPC8127-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：TPC8127-VB-丝印：VBA2309-品牌：VBsemi-参数： -P沟道 -最大工作电压：-30V -最大工作电流：-11A -开

TPC8127VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MCH3409-TL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:MCH3409-TL-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

MCH3409TLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
STU417S VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(

STU417S VBsemi mosfet datasheet
【SIR422DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

SIR422DP-T1-GE详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-额定电流：75A-导通电阻：4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.9Vth(V)

SIR422DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
【44N10-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:44N10-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

44N10VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【FDG6316P-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDG6316P-VB丝印：VBK4223N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-1.5A-导通电阻（RDS(ON)）：230mΩ@4.5V

FDG6316PVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
工程师必备：二极管常用电路.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

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