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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • W-寻呼区域规划指导书
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    寻呼区域介绍在WCDMA中存在多种区域概念，如：BSCarea,RNCarea,locationarea(LA),routingarea(RA),MSCarea,VLRarea,SGSNarea,Zo
  • UC3845.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    UC3845pdf
  • 一种多屏互动方法及系统
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    大小：433.52KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    一种多屏互动方法及系统
  • 【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：PHD78NQ03LT-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：60A-开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10Vgs、11mΩ@4
    PHD78NQ03LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • C8051F系列应用笔记AN002 配置内部和外部振荡器
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    大小：433.02KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    C8051F系列应用笔记AN002配置内部和外部振荡器
  • 【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：433KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O
    ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • EDGE_优化手册
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    EDGE优化手册一、EDGE主要概念以及特点11．编码方式12．Payload13．编码类（Family）24．数据吞吐量25．打孔方式26．ARQ机制37．资源分配机制78．无线侧物理层测量报告（3
  • 基于单片机的作息时间控制钟系统资料
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    时间：2019.06.06
    上传者：feiniao2008
    基于单片机的作息时间控制钟系统资料
  • 单片机控制语音芯片的录放音系统的设计
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    时间：2019.06.06
    上传者：feiniao2008
    介绍了由Flash单片机AT89C2051及数码语音芯片ISD2560组成的电脑语音系统设计出了系统的硬件电路，给出了录、放音实用的源程序。目前基于单片微机的语音系统的应用越来越广泛，如电脑语音钟、语
  • 移动通信基地站(BS)基础知识.
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    在城市，基地站可以安装在办公楼中；在农村，安装在集装箱内。基地站是一套为无线小区服务的设备，通常是一个全向或三个扇形无线小区。90年代初中国移动通信市场上竞争的有美国的摩托罗拉、瑞典的爱立信及日本的N
  • ISO FDIS 26262-2-2011-Management of functional safety
    所需E币：5
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    时间：2019.06.17
    上传者：royalark_912907664
    ISO26262-2-2011道路车辆功能安全性.第2部分:功能安全性管理
    iso FDIS 26262
  • 【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    大小：431.89KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR
    IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
  • 【FDS4685-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：431.53KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：FDS4685-NL-VB 丝印：VBA2412 品牌：VBsemi 参数： -P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V
    FDS4685NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：431.42KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压
    2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 开关电源控制环设计
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    时间：2019.06.21
    上传者：feiniao2008
    开关电源控制环设计。
  • 【NCE60P25K-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：NCE60P25K-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-阈值电压：-1
    NCE60P25KVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 上下行平衡条件
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    大小：430.5KB
    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    本文主要介绍了上下行平衡条件
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