原理图资料下载_第128页-面包板社区

CDMA1X话统分析ISSUE2.0

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

本胶片主要介绍BSS侧重要话务统计指标及其统计方法，以及相关分析。胶片中主要介绍BSCR002B03版本的话统指标，同时对新的R003C03版本话统新功能进行简单说明。
同步整流电路讲解.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

同步整流电路讲解.docx

同步整流电路讲解 docx
导游助理机

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

适用于教学、旅游、企业流动现场培训等移动现场扩音，还可广泛应用于现场促销、健身活动及文艺表演等场合。扩音器喇叭选择适中，在室内教学使用时能满足长宽约15米的空间清晰听到，在户外旅游讲解使用时不会影响到
【2SK2498-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2498-VB丝印：VBMB1606品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：120A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V，7mΩ@

2SK2498VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【CJ3400-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CJ3400-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：6.5A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

CJ3400VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM70P04-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HM70P04-VB丝印：VBM2406品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-80A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±

HM70P04VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP18P10GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP18P10GH-HF-VB丝印：VBE2101M品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-100V-最大电流：-15A-导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ@10

AP18P10GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
精确到每个元件，深度解读电源电路.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

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精确每个元件深度解读电源电路 docx
【BSS138-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V

BSS138VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【STS10PF30L-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS10PF30L-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-11A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，

STS10PF30LVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
华为设备问题汇编

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

问题描述一个用户申请做数据业务，pcu是怎么分配PDCH和PCIC的，是对哪些条件进行判决，这些条件的先后顺序是怎么样的？比如一个手机要申请下载文件，它是支持EDGE的，最好的情况下当然是用MCS9＋
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD25N10F7-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V-

STD25N10F7VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BF1107-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BF1107-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

BF1107VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
一种多屏同步显示控制系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种多屏同步显示控制系统
DAYU_底板原理图

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时间：2022.04.02

上传者：Argent

DAYU_底板原理图

DAYU 底板原理图