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精确到每个元件，深度解读电源电路.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

精确到每个元件，深度解读电源电路.docx

精确每个元件深度解读电源电路 docx
【BSS138-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V

BSS138VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【STS10PF30L-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS10PF30L-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-11A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，

STS10PF30LVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
华为设备问题汇编

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

问题描述一个用户申请做数据业务，pcu是怎么分配PDCH和PCIC的，是对哪些条件进行判决，这些条件的先后顺序是怎么样的？比如一个手机要申请下载文件，它是支持EDGE的，最好的情况下当然是用MCS9＋
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD25N10F7-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V-

STD25N10F7VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BF1107-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BF1107-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

BF1107VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
一种多屏同步显示控制系统

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时间：2019.06.28

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一种多屏同步显示控制系统
DAYU_底板原理图

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时间：2022.04.02

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DAYU_底板原理图

DAYU 底板原理图
IRFL9110TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRFL9110TRPBF的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为2

IRFL9110TRPBF VBsemi mosfet datasheet
C8051F系列应用笔记AN007 用 PCA 实现 16 位 PWM

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN007用PCA实现16位PWM
千兆收发器硬件原理详细设计书

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

基于BroadCom的ASIC芯片BCM5461S设计，实现一个千兆光纤接口和一个千兆以太网电口的数据收发和接口转换。他支持10M/100M/1000M速率自适应，全双工半双工自协商，还支持交叉/直连
一种分布异构系统机上原位加载二级控制器软件的方法

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时间：2019.06.28

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一种分布异构系统机上原位加载二级控制器软件的方法
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
Omate8000工业以太网交换机

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时间：2019.06.20

上传者：东亚安防

本产品特别适合于恶劣环境下工业自动化和过程控制的应用及远距离联网，特别是既有以太网又有总线式异步串口接入的情形。如工厂自动化、SCADA/DCS系统、电力配网及变电站系统自动化、智能交通等。应用行业包
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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