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大楼综合布线方案
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
综合布线需求分析波尼亚大酒店是一座新建的大型的综合型酒店,酒店主楼为六层;为了全面适应现代酒店管理的发展和要求,在新建酒店内作全面弱电系统设计,波尼亚大酒店内有各类餐厅、客房、套房、酒店办公室、商务中
【IPD036N04L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IPD036N04L-VB丝印:VBE1405品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:40V-最大电流:85A-开态电阻(RDS(ON)):4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V
IPD036N04LVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:400.05KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:MDD1951RH-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:60V-最大电流:45A-开通态电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压:
MDD1951RHVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
YD T 585-1999通信用配电设备
所需E币:2
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大小:398.49KB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
YDT585-1999通信用配电设备
铝碳化硅散热材料及散热解决方案
所需E币:2
下载:2
大小:398.14KB
时间:2019.05.23
上传者:feiniao2008
铝碳化硅AlSiC(Al/SiC,SiC/Al)是一种颗粒增强铝基复合材料,采用铝合金作为基体,SiC作为增强体,充分结合了陶瓷和金属铝的不同优势,实现了封装了轻便化、高密度化等要求。AlSiC密度在
大型民用飞机供配电系统地面试验集成验证测试平台架构
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大小:398.03KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
大型民用飞机供配电系统地面试验集成验证测试平台架构
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:IRF7453TRPBF-VB丝印:VBA1203M品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:200V-最大电流:3A-RDS(ON):300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压(
IRF7453TRPBFVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:397.63KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:APM2054NUC-TRL-VB丝印:VBE1310品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:30V-最大连续漏极电流:70A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):7mΩ@10V
APM2054NUCTRLVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet
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大小:397.49KB
时间:2024.09.03
上传者:东芝铠侠代理
高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计,极大地降低了导通电阻(R<sub>DS(on)</sub>),使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO
toshiba
东芝
TPH1500CNH
沟道
mosfet
产品
规格书
datasheet
【DMP6180SK3-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:395.7KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:DMP6180SK3-13-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-38A-导通电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V
DMP6180SK313VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STC5NF20V-VB丝印:VBC6N2022品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:2个N沟道-额定电压(Vds):20V-额定电流(Id):4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻(RDS
STC5NF20VVB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
联想A310 原理图2.pdf
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时间:2019.12.06
上传者:Argent
这是本人经典收藏的电子类书籍,有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案,有的是参加培训时藏有的经典教程,在此电子工程专辑平台上分享,希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你,请且行且珍惜,好好收藏吧!
数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图
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时间:2021.03.05
上传者:西风瘦马
数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图
数控
恒压
恒流电源
设计解决方案
原理图
【NCE0103M-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NCE0103M-VB丝印:VBI1101M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大连续电流:3.1A-静态开启电阻(RDS(ON)):126mΩ@10V,139mΩ
NCE0103MVB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:394.55KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-60V-最大漏电流:-38A-静态导通电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V,72mΩ@4
2SJ598ZE1AZVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
BGA元件的维修技术与操作技能
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
BGA元件的维修技术与操作技能
【CEU4311-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:393.28KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:CEU4311-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-开态电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±
CEU4311VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
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