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一种分布异构系统机上原位加载二级控制器软件的方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种分布异构系统机上原位加载二级控制器软件的方法
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
Omate8000工业以太网交换机

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时间：2019.06.20

上传者：东亚安防

本产品特别适合于恶劣环境下工业自动化和过程控制的应用及远距离联网，特别是既有以太网又有总线式异步串口接入的情形。如工厂自动化、SCADA/DCS系统、电力配网及变电站系统自动化、智能交通等。应用行业包
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD4965NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4965NT4G-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-导通电阻（RDS(ON)）：2mΩ@10V,3mΩ@

NTD4965NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLML6346TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML6346TRPBF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,33m

IRLML6346TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
Protel工程电路原理图及PCB文件

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时间：2023.01.09

上传者：张红川

常用封装库1Protel工程电路原理图及PCB文件

protel 工程电路原理图 pcb 文件
【NTD4863NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4863NT4G-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：60A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4

NTD4863NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
压电式振动传感器结构以及原理

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时间：2022.10.28

上传者：果雨

压电式振动传感器结构以及原理

压电式振动传感器结构原理
PCB主要制程工艺能力介绍

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

PCB主要制程工艺能力介绍
MT3337高精度低功耗工业级GPS定位模块,SkyLab_SKG16BL规格书文档

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时间：2020.05.27

上传者：帘卷笙声寂

SKG16BL是一款完整的GPS模块，具有高灵敏度、低功耗、小型化、其极高追踪灵敏度大大扩大了其定位的覆盖面，在普通GPS接收模块不能定位的地方，如狭窄都市天空下、密集的丛林环境，SKG1
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，1

ISL9N308AD3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
树莓派RPI-3B原理图-V1_2.pdf

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时间：2021.04.16

上传者：czdian2005

树莓派RPI-3B原理图-V1_2.pdf

树莓派 RPI3B 原理图 V12pdf
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM4930N-T1-PF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：

AM4930NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
一种无线数据传输方案及实现

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时间：2019.05.28

上传者：feiniao2008

摘要：本文介绍了一种数据信号的无线传输方案，给出了该方案的硬件竣计电路框图和软件的@主程序流程固该方案由单片机控制通过无线调制解调芯片与常规IJHF，VHF调频电台捂连通信．同酬与具有标准RS一232
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD30NF04LT-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：40V-最大持续电流（Id）：50A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,1

STD30NF04LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet

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