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Omate8000工业以太网交换机
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时间:2019.06.20
上传者:东亚安防
本产品特别适合于恶劣环境下工业自动化和过程控制的应用及远距离联网,特别是既有以太网又有总线式异步串口接入的情形。如工厂自动化、SCADA/DCS系统、电力配网及变电站系统自动化、智能交通等。应用行业包
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:407.39KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:SM3113NSUC-TRG-VB-丝印:VBE1303-品牌:VBsemi-类型:N沟道-额定电压:30V-额定电流:100A-RDS(ON):2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
SM3113NSUCTRGVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【NTD4965NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:407.34KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NTD4965NT4G-VB丝印:VBE1303品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:100A-导通电阻(RDS(ON)):2mΩ@10V,3mΩ@
NTD4965NT4GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【IRLML6346TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:406.87KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRLML6346TRPBF-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大连续电流:6.5A-静态开启电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,33m
IRLML6346TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
Protel工程电路原理图及PCB文件
所需E币:3
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时间:2023.01.09
上传者:张红川
常用封装库1Protel工程电路原理图及PCB文件
protel
工程
电路原理图
pcb
文件
【NTD4863NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:405.57KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NTD4863NT4G-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大连续电流:60A-静态开启电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V,11mΩ@4
NTD4863NT4GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
压电式振动传感器结构以及原理
所需E币:1
下载:5
大小:405.5KB
时间:2022.10.28
上传者:果雨
压电式振动传感器结构以及原理
压电式
振动传感器
结构
原理
PCB主要制程工艺能力介绍
所需E币:2
下载:11
大小:405.4KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
PCB主要制程工艺能力介绍
MT3337高精度低功耗工业级GPS定位模块,SkyLab_SKG16BL规格书文档
所需E币:0
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大小:404.74KB
时间:2020.05.27
上传者:帘卷笙声寂
SKG16BL是一款完整的GPS模块,具有高灵敏度、低功耗、小型化、其极高追踪灵敏度大大扩大了其定位的覆盖面,在普通GPS接收模块不能定位的地方,如狭窄都市天空下、密集的丛林环境,SKG1
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:404.73KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:ISL9N308AD3-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:30V-最大连续漏极电流:60A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V,1
ISL9N308AD3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
树莓派RPI-3B原理图-V1_2.pdf
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大小:404.53KB
时间:2021.04.16
上传者:czdian2005
树莓派RPI-3B原理图-V1_2.pdf
树莓派
RPI3B
原理图
V12pdf
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:404.05KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AM4930N-T1-PF-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数说明:-极性:2个N沟道-额定电压:30V-最大连续漏极电流:6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):
AM4930NT1PFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
一种无线数据传输方案及实现
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时间:2019.05.28
上传者:feiniao2008
摘要:本文介绍了一种数据信号的无线传输方案,给出了该方案的硬件竣计电路框图和软件的@主程序流程固该方案由单片机控制通过无线调制解调芯片与常规IJHF,VHF调频电台捂连通信.同酬与具有标准RS一232
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD30NF04LT-VB丝印:VBE1410品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):40V-最大持续电流(Id):50A-导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V,1
STD30NF04LTVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1~-3V,封装:SOT223。应用简介:NT
NTF2955T1G
VBsemi
SOT223
mos
datasheet
【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围-1~-3V,封装:SOT
IRFL9014TRPBF
VBsemi
SOT223
mos
datasheet
【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)
AP4575GMVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
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