原理图资料下载_第130页-面包板社区

FYDAP仿真器简易说明

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时间：2019.06.18

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FYDAP仿真器简易说明

FYDAP 仿真器说明
【SUD50N04-8M8P-4GE3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-导通电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10

SUD50N048M8P4GE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
WLAN IDS技术介绍

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

WLANIDS简介802.11网络很容易受到各种网络威胁的影响，如未经授权的AP用户、Ad-hoc网络、拒绝服务型攻击等；Rogue设备对于企业网络安全来说更是一个很严重的威胁。WIDS（Wirele
Microcontrol -- MSP430X扩展存储器无止境

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时间：2019.06.28

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Microcontrol--MSP430X扩展存储器无止境
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet
【BSP170P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP170P(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT223。应用

BSP170P VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP85U03GH-HF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP85U03GH-HF-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-开态电阻(RDS(ON))：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs

AP85U03GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR2905TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLR2905TRPBF-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：45A-静态开启电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,28mΩ

IRLR2905TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ISO FDIS 26262-9-2011-Automotive Safety Integrity Level (ASIL)-oriented and safety-oriented analyses

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时间：2019.06.17

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ISO26262Part9：基于ASIL和安全的分析

iso FDIS 26262
【MTB1D7N03E3-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MTB1D7N03E3丝印：VBM1302品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：180A-RDS(ON)：2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V-门源电压范围：2

MTB1D7N03E3VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
WCDMA无线网络优化－信令

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时间：2019.06.03

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水平分层（HorizontalLayers）在水平方向上，地面接口协议模型分为两层：无线网络层和传输网络层。无线网络层包含所有与UTRAN业务相关的协议；传输网络层指UTRAN所选用的标准的传输技术，
【IRFI540GPBF-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFI540GPBF(VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。应用简介

IRFI540GPBF VBsemi to220f mos datasheet
HiSpark_AI_Hi3516D_One_Sensor_VER.B-NoValueSCH

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时间：2022.04.02

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HiSpark_AI_Hi3516D_One_Sensor_VER.B-NoValueSCH
大楼综合布线方案

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

综合布线需求分析波尼亚大酒店是一座新建的大型的综合型酒店，酒店主楼为六层;为了全面适应现代酒店管理的发展和要求，在新建酒店内作全面弱电系统设计，波尼亚大酒店内有各类餐厅、客房、套房、酒店办公室、商务中
【IPD036N04L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IPD036N04L-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V

IPD036N04LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：MDD1951RH-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-开通态电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：

MDD1951RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
YD T 585-1999通信用配电设备

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时间：2019.06.17

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YDT585-1999通信用配电设备

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