原理图资料下载_第130页-面包板社区

【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：403.33KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT

IRFL9014TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：403.1KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)

AP4575GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO3400A-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：402.97KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3400A-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.5A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

AO3400AVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
数控直流电流源资料

所需E币：0

下载：23

大小：402.93KB

时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

本设计由三个部分组成，键盘与显示，基于单片机的控制器，稳流电源。以89C52为主控单元，以数模转换器DAC0832输出参考电压，以该参考电压控制电压转换模块LM350K的输出电压大小，设计实用，精度高
FYDAP仿真器简易说明

所需E币：3

下载：0

大小：402.87KB

时间：2019.06.18

上传者：royalark_912907664

FYDAP仿真器简易说明

FYDAP 仿真器说明
【SUD50N04-8M8P-4GE3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：402.65KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-导通电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10

SUD50N048M8P4GE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
WLAN IDS技术介绍

所需E币：0

下载：3

大小：402.14KB

时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

WLANIDS简介802.11网络很容易受到各种网络威胁的影响，如未经授权的AP用户、Ad-hoc网络、拒绝服务型攻击等；Rogue设备对于企业网络安全来说更是一个很严重的威胁。WIDS（Wirele
Microcontrol -- MSP430X扩展存储器无止境

所需E币：3

下载：0

大小：402.12KB

时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

Microcontrol--MSP430X扩展存储器无止境
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：402.12KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet
【BSP170P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：402.05KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP170P(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT223。应用

BSP170P VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP85U03GH-HF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：401.92KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP85U03GH-HF-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-开态电阻(RDS(ON))：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs

AP85U03GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR2905TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：401.57KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLR2905TRPBF-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：45A-静态开启电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,28mΩ

IRLR2905TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ISO FDIS 26262-9-2011-Automotive Safety Integrity Level (ASIL)-oriented and safety-oriented analyses

所需E币：5

下载：0

大小：401.43KB

时间：2019.06.17

上传者：royalark_912907664

ISO26262Part9：基于ASIL和安全的分析

iso FDIS 26262
【MTB1D7N03E3-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：401.4KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MTB1D7N03E3丝印：VBM1302品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：180A-RDS(ON)：2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V-门源电压范围：2

MTB1D7N03E3VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
WCDMA无线网络优化－信令

所需E币：4

下载：0

大小：401.28KB

时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

水平分层（HorizontalLayers）在水平方向上，地面接口协议模型分为两层：无线网络层和传输网络层。无线网络层包含所有与UTRAN业务相关的协议；传输网络层指UTRAN所选用的标准的传输技术，
【IRFI540GPBF-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：401.12KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFI540GPBF(VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。应用简介

IRFI540GPBF VBsemi to220f mos datasheet
HiSpark_AI_Hi3516D_One_Sensor_VER.B-NoValueSCH

所需E币：1

下载：1

大小：400.61KB

时间：2022.04.02

上传者：Argent

HiSpark_AI_Hi3516D_One_Sensor_VER.B-NoValueSCH

1 ... 126 127 128 129130131 132 133 ... 232 / 232 页下一页

热门资料

基础知识电源/功率 PCB 单片机/嵌入式 FPGA 模拟/数字处理器/DSP 传感器测试测量通信/RF/网络软件/EDA/IP 采购/供应链/管理

推荐白皮书

热门专题

下载排行榜

用户贡献榜

EE直播间

中小数字IC云仿真加速方案：弹性资源与验证效率提升直播时间： 05月22日 10:00

在线研讨会

最新资讯