原理图-消耗E币(免费)资料下载

TOSHIBA东芝TB67S581FNG步进电机驱动IC datasheet

所需E币：0

下载：2

大小：1.88MB

时间：2024.07.29

上传者：东芝铠侠代理

TB67S581FNG是一款采用PWM斩波模式的恒流两相步进电机驱动IC，采用东芝的BiCD（双极-CMOS-DMOS）工艺制造。该集成电路旨在提供高效率和高可靠性。以下是它的一些突出特点：高电压和电

toshiba 东芝 TB67S581FNG 步进电机驱动 ic datasheet
Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：1

大小：680.65KB

时间：2024.07.18

上传者：东芝铠侠代理

B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：1.08MB

时间：2024.07.18

上传者：东芝铠侠代理

B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
Toshiba东芝TCD1304DG线性传感器产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：1.05MB

时间：2024.07.16

上传者：东芝铠侠代理

高灵敏度和低暗电流TCD1304DG具有高灵敏度和低暗电流，非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含3648个光敏元件，每个元件尺寸为8µmx200µm，确保了出色的光灵敏度和分辨率。电子快门

toshiba 东芝 TCD1304DG 线性传感器产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：5

大小：2.09MB

时间：2024.07.05

上传者：东芝铠侠代理

关键特性包括：BiCD工艺集成：确保高效率和可靠性。PWM斩波控制：实现精确的电流控制。宽步进分辨率：支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和

toshiba 东芝 TB67S128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB6560AFG步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：1.49MB

时间：2024.07.01

上传者：东芝铠侠代理

TB6560AHQ/AFGICs是脉宽调制（PWM）斩波型驱动器，专为双极步进电机的微步控制设计。这些ICs支持多种励磁模式，包括2相、1-2相、2W1-2相和4W1-2相，提供了广泛应用所需的灵活性
TOSHIBA东芝TB6612FNG电机驱动IC中文产品部规格书datasheet

所需E币：0

下载：1

大小：744.7KB

时间：2024.06.18

上传者：东芝铠侠代理

TB6612FNG是一款硅单片集成电路，旨在高效精确地驱动双直流电机。以下是其一些突出的特点：电源和输出规格：电源电压：该IC的最大VM为15V。输出电流：每通道提供1.2A的连续输出电流，峰值电流可
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：5.18MB

时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
东芝2SC2712晶体管datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：475.42KB

时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：645.84KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：265.79KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：1

大小：331.05KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：252.68KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：272.14KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：247.19KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：299.29KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.44KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet