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MIPS多线程处理器优化SoC方案
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时间:2020.03.12
上传者:rdg1993
MIPS多线程处理器优化SoC方案……
电子元器件
THB6128的参数及应用
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大小:297.79KB
时间:2020.03.12
上传者:978461154_qq
●内置温度保护及过流保护……
电子元器件
统一的光标捕获系统(PCB)
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大小:297.5KB
时间:2020.03.16
上传者:2iot
统一的光标捕获系统(PCB)用作虚拟网格点来解决几何问题??统汇集了三个不同的子系统共同驱动光标捕获按优选的坐标点来设定:用户自定网格,使用这些功能直到您觉得合适为止,确保您PCB工作区内的对象放置和
捕获
pcb
OpenChoice™示波器解决方案
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大小:297.39KB
时间:2020.01.06
上传者:16245458_qq.com
OpenChoice™示波器解决方案……
常用肖特基二极管参数
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大小:297.29KB
时间:2020.03.12
上传者:quw431979_163.com
常用肖特基二极管参数……
电子元器件
【HM8810A-VB】2个N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:297.09KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:HM8810A丝印:VB9220品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:20V-最大电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V-门源电压:20
HM8810A
VBsemi
sot236
mos
datasheet
《电子线路基础》n-chap1-3-pp
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时间:2020.03.16
上传者:quw431979_163.com
电子线路,电子技术清华大学电子工程系李冬梅第一章-1.4双极型晶体管1.4.7双极晶体管的主要参数续三4.频率参数晶体管的β值不仅与工作电流有关而且与工作频率有关由于结电容的影响当信号频率增加时晶体管
电子线路
电子技术
IEEE 1149.1 (JTAG) Boundary-Scan Testing for Cyclone III Devices
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大小:297.08KB
时间:2020.03.11
上传者:二不过三
IEEE1149.1(JTAG)Boundary-ScanTestingforCycloneIIIDevices……
boundary-scan
testing
cyclone
常用运放IC lm567.pdf .pdf
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时间:2020.01.07
上传者:二不过三
常用运放IClm567.pdf.pdfLM567/LM567CToneDecoderMay1999LM567/LM567CToneDecoderGeneralDescriptionnHighrejec
常用运放ic
LM567
芯片
FOG邦定工艺及关键控制点的研究
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时间:2020.03.12
上传者:二不过三
根据ACF材料的组成和连接原理介绍了FOG邦定工艺(包括ACF预贴、预邦定、主邦定和检验);阐述了FOG邦定工艺的关键控制点:压力控制、温度控制及高温状态下压头的平行度要求;通过图表和数据分析提出了不
工艺技术
introducton to TLCS-900 Family Toshiba Microcontrollers
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时间:2020.03.11
上传者:wsu_w_hotmail.com
introductontoTLCS-900FamilyToshibaMicrocontrollers……
microcontroller
tlcs-900
升压充电2合1 IC
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时间:2020.03.16
上传者:二不过三
升压充电2合1……
升压充电2合1
ic
sscom串调试器
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时间:2020.01.06
上传者:16245458_qq.com
sscom串调试器……
串调试器
sscom
hin203
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时间:2020.03.11
上传者:238112554_qq
hin203TMHIN202EthruHIN241EDataSheetOctober2000FileNumber4315.6+/-15kV,ESD-Protected,+5VPowered,Featu
hin
203
MX系列智能无铅焊接烙铁
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时间:2020.01.06
上传者:二不过三
应用SmartHeat专利技术设计,具有温度恒定、功率可随焊点大小智能调节的特点,符合ISO9000认证标准,温度无需校验,适用各种焊接、返修场合。……
基于MB90F462的智能家居数据采集卡设计
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时间:2020.03.16
上传者:givh79_163.com
以Fujitsu的MB90F462为核心,阐述了适用于智能家居监控系统的数据采集卡的系统结构和基本功能,并详细介绍了信号输入模块、GSM短消息通信、GPRS远程数据传输和实时时钟模块的设计流程以及MB
智能家居
数据采集卡
SMS
【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用
SI2319CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
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