制造与封装-原理图-消耗E币(免费)资料下载

【ST2341S23RG-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：295.83KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

ST2341S23RG(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ST

ST2341S23RG VBsemi sot23 mos datasheet
【STD35NF06T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：391.1KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

STD35NF06T4详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装

STD35NF06T4 VBsemi TO252 mos datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：461.98KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：331KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：343.05KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：341.59KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：306.25KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【UT3N06G-AE3-R-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：298.23KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：UT3

UT3N06GAE3R VBsemi sot23 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：268.33KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【ZXMN6A07ZTA-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：279.14KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZX

ZXMN6A07ZTA VBsemi SOT893 mos datasheet
中触TP 7寸ZCC-2210 工程图 Model (1).pdf

所需E币：0

下载：0

大小：217.25KB

时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

中触 tp 7寸 ZCC2210 工程 model 1pdf
小体积超低功耗液晶显示驱动芯片-VKL144B QFN48

所需E币：0

下载：0

大小：1.7MB

时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL144B概述:VKL144B是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出36线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：3

小体积超低功耗液晶显示驱动芯片 VKL144B QFN48
晶台光耦 KL1010 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

所需E币：0

下载：0

大小：1.21MB

时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1010 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1012 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

所需E币：0

下载：0

大小：1.21MB

时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1012 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1013 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

所需E币：0

下载：0

大小：1.21MB

时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1013 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1014 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

所需E币：0

下载：0

大小：1.21MB

时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1014 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1017 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

所需E币：0

下载：0

大小：1.21MB

时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1017 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

最新资讯