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【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD444详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装类型：TO25

AOD444 VBsemi TO252 mos datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【NTR4501NT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：NTR4501NT1G 型号：VB1240 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-RDS(ON)：24mΩ@4.5V，33

NTR4501NT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet

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SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：30V-最大漏极电流：5.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SiA400EDJT1GE3 VBsemi DFN62X2 mos datasheet
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-100V-最大漏极电流：-18A-导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs

IRF9530NPBF VBsemi to220 mos datasheet
【MT2300ACTR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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MT2300ACTR是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：20V-最大漏极电流：6A-导通时的电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-栅极电压（Vgs）范围：±8

MT2300ACTR VBsemi sot23 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【ZXMN6A07ZTA-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZX

ZXMN6A07ZTA VBsemi SOT893 mos datasheet
【UT3N06G-AE3-R-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：UT3

UT3N06GAE3R VBsemi sot23 mos datasheet
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【ST2341S23RG-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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ST2341S23RG(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ST

ST2341S23RG VBsemi sot23 mos datasheet
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI9945AEYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet

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