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【RU20P4C-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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RU20P4C(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：RU20P4

RU20P4C VBsemi sot23 mos datasheet
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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RU205B(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：RU2

RU205B VBsemi sot23 mos datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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RJP020N06T100(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：RJP0

RJP020N06T100 VBsemi SOT893 mos datasheet
【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E

P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
【P2402CAG-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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P2402CAG(VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.2V；封装：SO

P2402CAG VBsemi sot236 mos datasheet
【NTR4502PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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NTR4502PT1G(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：NT

NTR4502PT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：NT

NTD5867NLT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2

NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet
【ME2303-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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ME2303(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ME2303是

ME2303 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

IRLR9343TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet

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