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【RU20P4C-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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RU20P4C(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:RU20P4
RU20P4C
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sot23
mos
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【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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RU205B(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:RU2
RU205B
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sot23
mos
datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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RJP020N06T100(VBI1695)参数说明:N沟道,60V,5A,导通电阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT89-3。应用简介:RJP0
RJP020N06T100
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SOT893
mos
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【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
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P9006EDG
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TO252
mos
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【P2402CAG-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
P2402CAG(VB7322)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6A;导通电阻:30mΩ@10V,40mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:1.2V;封装:SO
P2402CAG
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sot236
mos
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【NTR4502PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTR4502PT1G(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:NT
NTR4502PT1G
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mos
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【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTJD4401NT1G参数:2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介:NTJD4401NT1G是
NTJD4401NT1G
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SC706 9882
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【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1~-3V,封装:SOT223。应用简介:NT
NTF2955T1G
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SOT223
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【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介:NT
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TO252
mos
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【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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NTD5806NT4G参数:N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252;应用简介:NTD5806NT4G是一款N
NTD5806NT4G
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【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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NT2955G(VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用简介:NT2
NT2955G
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TO252
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【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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NDS331N-NL(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),阈值电压0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:NDS331N
NDS331NNL
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【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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N3PF06
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SOT223
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【ME2303-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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ME2303(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:ME2303是
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【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
IRLR9343TRPBF
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【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:100A;导通电阻:2mΩ@10V,3mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:1.9V
IRLR7843TRPBF
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TO252
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【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明:N沟道,100V,70A,导通电阻9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压3.2V,封装:TO252。应用简介:I
IRLR3110ZPBF
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