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KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4N36
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书
所需E币:0
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大小:1.39MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4N35
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书
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大小:1.39MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、
4N25
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书
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大小:1.17MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器,它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
KL3H7L
SSOP4
晶体管
光耦
产品
规格书
3H7L
KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器,它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
KL3H7HT
SSOP4
晶体管
光耦
高温
特规
产品
规格书
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器,采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高
KL3H4
SSOP4
晶体管
光耦
ac
交流
产品
规格书
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
FDC3512
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:484.69KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:IRF540NSTRPBF丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO2
IRF540NSTRPBF
VBsemi
TO263
mos
datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:BSS84-7-F丝印:VB264K品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-0.5A-RDS(ON):3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V-门源电压范
BSS847F
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
CED12N10详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.41Vth(V)-封
CED12N10
VBsemi
TO251
mos
datasheet
【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:AO4407A丝印:VBA2317品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-30V-最大电流:-7A-导通电阻:23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.
AO4407A
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【IRF7240TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:490.47KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:IRF7240TRPBF丝印:VBA2412品牌:VBsemi参数:P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V);S
IRF7240TRPBF
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:496.13KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:CEM4435丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-RDS(ON):23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源
CEM4435
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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大小:296KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
NTS2101PT1G详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:-0.6~-2
NTS2101PT1G
VBsemi
SC703
mos
datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:296.12KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:2SJ668丝印:VBE2610N品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-38A-导通电阻:61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压:2
2SJ668
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:282.7KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:2SK4033丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO252该产品具有以
2SK4033
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【AP2301GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:267.45KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:AP2301GN丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压范围:±12V
AP2301GN
VBsemi
sot23
mos
datasheet
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