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【UT100N03L-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：UT100N03L-VB丝印：VBM1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：120A-导通电阻（RDS(ON)）：3mΩ

UT100N03LVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SI9424DY-T1-E3-VB-丝印：VBA2216-品牌：VBsemi-参数：P沟道，-20V，-8A，RDS(ON)，16mΩ@4.5V，19.2mΩ@2.5V，15Vg

SI9424DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4401-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大工作电压：-30V-最大工作电流：-6A-RDS(ON)：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围：

AO4401VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTD25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD25P03LG-VB 丝印：VBE2338 品牌：VBsemi 参数： -P沟道--30V电压--26A电流-RDS(ON)：33mΩ@

NTD25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IPP084N06L3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：IPP084N06L3G-VB-丝印：VBM1606-品牌：VBsemi-参数：N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、

IPP084N06L3GVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP9561GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP9561GH-HF-VB 丝印：VBE2412 品牌：VBsemi 详细参数说明：-P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-

AP9561GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD417-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AOD417-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ（在10V电压下），25mΩ（在4.5V电压下）-

AOD417VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NCE6005AS-VB-丝印：VBA3638-品牌：VBsemi-参数：2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.

NCE6005ASVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【CEA3252-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEA3252-VB 丝印：VBI1322 品牌：VBsemi 详细参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-额定

CEA3252VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4330KC-TRL-VB丝印：VBA1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：18A-RDS(ON)：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压：20V

APM4330KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MTD20N03HDLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MTD20N03HDLT4G-VB 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数说明：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：7

MTD20N03HDLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF7205TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7205TRPBF-VB 丝印：VBA2333 品牌：VBsemi 参数：P沟道，-30V，-6A，RDS(ON)，40m

IRF7205TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【UT6898G-S08-R-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：UT6898G-S08-R-VB丝印：VBA3211品牌：VBsemi参数：-2个N沟道 -20V -10A -RDS(ON):11mΩ@10V,12mΩ@4.5V

UT6898GS08RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O

AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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