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SD4400兼容ACT88325四路5V/3A Buck，两路300mA LDO，SSD供电PMU

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时间：2023.04.27

上传者：sandtech168

SD4400兼容ACT88325四路5V/3ABuck，两路300mALDO，SSD专用供电PMU
CS50363内置MOS可升压16V，高效率升压DC-DC转换器

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时间：2023.04.28

上传者：sandtech168

CS50363内置MOS可升压16V，高效率升压DC-DC转换器

CS50363
CS5290兼容CS5230防破音AB/D切换，5.2W单声道GF类音频功放IC

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时间：2023.05.31

上传者：sandtech168

CS5290兼容CS5230防破音AB/D切换，5.2W单声道GF类音频功放IC

CS5290 兼容 CS5230
超低功耗LCD液晶段码显示驱动芯片VKL060资料简介

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时间：2023.06.14

上传者：V13632814412

品牌：永嘉微电/VINKA封装：SSOP24年份：新年份原厂优势，工程服务，技术支持详细可以联系许生：13632814412/Q2885157526

超低功耗 lcd 液晶段码显示驱动芯片 VKL060 资料简介
700v超级结mos管SSF70R450S2-SSF70R450S2 mos管关键参数

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时间：2023.06.15

上传者：骊微电子科技

700v超级结mos管SSF70R450S2-SSF70R450S2mos管关键参数

700v超结mos SSF70R450S2
2SD2686东芝Toshiba电路图引脚产品规格书datasheet

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时间：2023.06.26

上传者：东芝铠侠代理

2SD2686是一款高性能的功率晶体管，适用于多种应用场景。产品参数：最大功率：150W最大电压：80V最大电流：15A封装形式：TO-3PSD2686具有良好的散热性能。相比之下，竞品型号的最大功率

音响 203 功放电路功率晶体管
芯茂微LP2179B 自动卷发器电源方案12V 400MA

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时间：2023.07.06

上传者：SANFO

自动卷发器电源方案12V400MALP2179B 型号：LP2179封装：SOP8LP2179是一款高效率高精度的非隔离降压开关电源恒压控制驱动芯片。适用于85VAC~265VAC全范围输入

芯茂微 LP2179B 自动卷发器电源方案 12v 400MA
HOT_配套培训资料07_开关矩阵

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时间：2023.07.10

上传者：Argent

HOT_配套培训资料07_开关矩阵

hot 配套培训资料 07 开关矩阵
电机电子环境发展协会

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时间：2023.07.31

上传者：Argent

电机电子环境发展协会

电机电子环境发展协会
AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AO6800型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）

AO6800 VBsemi mosfet datasheet
AP2306AGN VBssemi Datasheet

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时间：2023.10.09

上传者：VBsemi

VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS

AP2306AGN VBssemi datasheet
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
XPD738规格书 USB双口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A

XPD738 规格书 usb 双口控制器
2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.19

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB VBsemi mosfet sot23 mos管
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet

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