消费电子-原理图资料下载_第7页-面包板社区

XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
CD4514BC点阵

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

CD4514BC•CD4515BC4-BitLatched/4-to-16LineDecoders
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE2014ES-VB 丝印：VBA1206 品牌：VBsemi 参数说明：-类型：N沟道 -额定电压：20V -额定电流：15A

NCE2014ESVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
开关电源PCB的设计

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时间：2019.06.14

上传者：feiniao2008

设计高频开关稳压电源供应器时，线路布局是相当重要的一环。好的线路布局可以解决许多电源供应器的问题；设计不够周到的线路布局会产生各式各样的问题。这种问题尤其容易在高电流操作的环境下产生，而当输入/输出电
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD

FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
CS5216电路|CS5216 demoboard参考电路|CS5216 电路设计方案

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时间：2021.05.21

上传者：QQ1659747718

CS5216是一款单端口HDMI/DVI电平转换器/中继器，具有重新定时功能。它支持交流和直流耦合TMDS信号高达3.0-Gbps的操作与可编程均衡和抖动清洗。它包括2路双模DP电缆适配器

CS5216 CS5216电路 CS5216demoboard CS5216设计方案
【CEM4953-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CEM4953-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48mΩ@

CEM4953VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CS5211替代CH7511B设计开发EDP转LVDS接口转接芯片原理图

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时间：2021.06.18

上传者：qq2755130042

CS5211用于设计DP转LVDS转换器,DP转LVDS控制板,DP转LVDS转接板等产品设计,其性能和参数可以替代与兼容PS8622,PS8625,CH7511等方案芯片。

CS5211 替代CH7511B eDP转LVDS LVDS接口转接 CS5211原理图
200910151610-LLC拓扑效率优化方法、系统及LLC拓扑系统

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

200910151610-LLC拓扑效率优化方法、系统及LLC拓扑系统
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
RTL8188CUS_DataSheet_1.0.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

RTL8188CUSDataSheet10pdf
【NCE60P25K-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE60P25K-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-阈值电压：-1

NCE60P25KVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4330KC-TRL-VB丝印：VBA1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：18A-RDS(ON)：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压：20V

APM4330KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【TPC8127-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：TPC8127-VB-丝印：VBA2309-品牌：VBsemi-参数： -P沟道 -最大工作电压：-30V -最大工作电流：-11A -开

TPC8127VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MCH3409-TL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:MCH3409-TL-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

MCH3409TLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【FDG6316P-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDG6316P-VB丝印：VBK4223N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-1.5A-导通电阻（RDS(ON)）：230mΩ@4.5V

FDG6316PVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet

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