消费电子-原理图资料下载_第6页-面包板社区

【CEU12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：563.01KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEU12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：18A-静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ@10V,121mΩ@

CEU12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
XPD818规格书副边全集成 USB Type-C PD 控制器

所需E币：1

下载：0

大小：557.37KB

时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD818是一款集成USBType-C、USBPowerDeliver（yPD）2.0/3.0以及QC3.0/2.0CLASSA快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DCP以及

XPD818 规格书副边全集成 usb TypeC pd 控制器
电流控制型脉宽调制器UC3842工作原理及应用

所需E币：2

下载：0

大小：545.88KB

时间：2019.06.20

上传者：feiniao2008

电流控制型脉宽调制器UC3842工作原理及应用
【NCE0117-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：539.38KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NCE0117-VB丝印：VBM1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs

NCE0117VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法

所需E币：2

下载：1

大小：538.48KB

时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
dac0832.pdf

所需E币：0

下载：1

大小：532.18KB

时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

dac0832pdf
【APM2301AC-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：523.16KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V,83mΩ@

APM2301ACVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
用C8051F300设计锂离子电池充电器的解决方案

所需E币：2

下载：0

大小：519.2KB

时间：2019.06.11

上传者：feiniao2008

引言鉴于产品使用的灵活性以及方便性的需要许多系统都把可充电电池作为主要的能量来源电池充电器的较典型的实现方法是用一个专门功能的集成电路IC去控制充电电流/电压的范围C8051F300系列单片机提供一个
LLC串联共振DCDC变换器

所需E币：2

下载：1

大小：514.77KB

时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LLC串联共振DCDC变换器
应用IPC-A-610的主观能动性

所需E币：2

下载：2

大小：510.99KB

时间：2019.06.14

上传者：feiniao2008

应用IPC-A-610的主观能动性
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：510.72KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NCE6005AS-VB-丝印：VBA3638-品牌：VBsemi-参数：2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.

NCE6005ASVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

所需E币：0

下载：0

大小：508.07KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：508.07KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

所需E币：0

下载：5

大小：502.23KB

时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
【FDS4897AC-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：501.23KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号FDS4897AC-NL-VB的详细参数和应用简介：**型号：**FDS4897AC-NL-VB**丝印：**VBA5638**品牌：**VBsemi*

FDS4897ACNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：498.23KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：496.13KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet

最新资讯