消费电子-原理图-消耗E币(免费)资料下载

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时间：2021.09.24

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FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

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【IRLMS6802TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLMS6802TRPBF(VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用简

IRLMS6802TRPBF VBsemi sot236 mos datasheet
【BSL302SN-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BSL302SN-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

BSL302SNVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NTD12N10-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1

NTD12N101GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【FQT5P10-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：FQT5P10丝印：VBJ2102M品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-3A-RDS(ON)：200mΩ@10V，240mΩ@4.5V-门源电压范围：±

FQT5P10VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.27

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APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
【BS250FTA-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：BS250FTA丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.87Vth(V)；

BS250FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8

APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【MMBF170LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:MMBF170LT1G丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(

MMBF170LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
DS130_datasheet.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

DS130datasheetpdf
【BS170FTA-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:BS170FTA丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(ON)

BS170FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NDS351AN-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NDS351AN-NL-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：6.5A-开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10Vgs、33mΩ@4

NDS351ANNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管，其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管，具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V，最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻（RDS

AP2625GY VBsemi mosfet datasheet
【BSN20-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：BSN20丝印：VB162K品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：2

BSN20 VBsemi sot23 mos datasheet
AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
【AO6400-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AO6400丝印：VB7322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6A-导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(

AO6400 VBsemi sot236 mos datasheet

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