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【LBSS139LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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LBSS139LT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(

LBSS139LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3J328R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SSM3J328R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J328RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SI2307DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电

SI2307DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3J332R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SSM3J332R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J332RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2319DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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SI2319DS-T1-GE3详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth

SI2319DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2323DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：SI2323DS-T1-GE3丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5

SI2323DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2371EDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.6A-导通电阻（RDS(ON)）：47m

SI2371EDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AP2309GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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AP2309GN详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth(V)-封装类

AP2309GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【SSF2341E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12V

SSF2341EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E

P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4

AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.19

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2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应

2SJ327ZE1AZVB VBsemi mosfet TO252 mos管
LG磁控管-2M214

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LG磁控管-2M214参数资料

LG 70910
【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-

TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2

NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet