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【NIF5002NT3G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NIF5002NT3G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-静态开启电阻(RDS(ON))：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门

NIF5002NT3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg

RSR020N06TL VBsemi mosfet datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRLML0060TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及

IRLML0060TRPBF VBsemi mosfet datasheet
AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(

AP2310GN VBsemi mosfet datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO4354(VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。应用简介：AO4354是一

AO4354 VBsemi SOP8 mos datasheet
DDR的设计资料1

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

DIMMWiringDetailsSignalGroupsThisspecificationcategorizesDDRSDRAMtiming-criticalsignalsintofivegroup
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，

APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.19

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB VBsemi mosfet sot23 mos管
【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TPC6111丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V

TPC6111VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IRFR9024TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFR9024TRPBF-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏源电流：-38A-开启电阻RDS(ON)：61mΩ@10V；72mΩ@4

IRFR9024TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

IRLR9343TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【IRFR3410TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：IRFR3410TRPBF-VB-丝印：VBE1104N-品牌：VBsemi-类型：N沟道-最大电压（Vds）：100V-最大电流（Id）：40A-开态电阻（RDS(ON)）：3

IRFR3410TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDD3680-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDD3680-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：40A-静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@1

FDD3680VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参

SI2305DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5

SSM3J36FS VBsemi mosfet datasheet