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2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈

2SK1470 VBsemi mosfet datasheet
【STB30NF20-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门

STB30NF20VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)

STN3PF06VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

SI6913DQT1GE3VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
AP2306AGN VBssemi Datasheet

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时间：2023.10.09

上传者：VBsemi

VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS

AP2306AGN VBssemi datasheet
NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R

NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
AO3400 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了MOSFET型号AO3400，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON

ao3400 VBsemi mosfet datasheet
DS1302.pdf

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时间：2021.04.25

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电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

DS1302pdf
【野火】RT1052邮票孔核心板EBF1052 原理图.pdf

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时间：2021.09.24

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FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

野火 RT1052 邮票孔核心板 EBF1052 原理图 pdf
YL-51单片机开发板原理图.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

YL51 单片机开发板原理图 pdf
语音播报数控直流电流源的设计

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

语音播报数控直流电流源的设计
ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。

ZXMN10A07ZTA VBsemi mosfet datasheet
【APM4435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM4435KC-TRL(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs(

APM4435KCTRL VBsemi SOP8 mos datasheet
数显稳压电源的设计

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

数显稳压电源的设计一、任务与要求：1．利用51系列单片机和LM317设计一款数字显示稳压电源；2．利用按键进行选择，输出2到15V间的8档电压值；3.两位数码管进行输出电压的显示；4.根据系统框图，画
AM4424N-T1-PF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AM4424N-T1-PF（VBA1311）是VBsemi一种N沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为30V，最大漏极电流为12A，漏源电阻RDS(ON)为12mΩ（在10V

AM4424NT1PF VBsemi mosfet datasheet
AOD482 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管产品，丝印型号为VBE1104N。该产品属于N沟道类型，可承受最高100V的电压和40A的电流。其RDS(ON)参数为30mΩ（在10V工作电压下）和

AOD482 VBsemi mosfet datasheet

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