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IRLML6402TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数

IRLML6402TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【IRFR3710ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRFR3710ZTRPBF-VB丝印:VBE1102N品牌:VBsemi详细参数说明:-管脚类型:TO252-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:45A-静态电阻:18mΩ@10V,2

IRFR3710ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【Si1922EDH-T1-GE3-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON

Si1922EDHT1GE3VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
IRLML2244TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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IRLML2244TRPBF是VBsemi品牌引进的P沟道MOSFET产品，标志型号为VB2290；它采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为20V，额定电流为-4A，RDS（ON）参数为5

IRLML2244TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参

SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为

UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m

DMP2215L7 VBsemi mosfet datasheet
SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet

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SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ

SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m

FDN306PNL VBsemi mosfet datasheet
AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在

AP2301N VBsemi mosfet datasheet
【IPD30N06S2L-13-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下：-电压：60V-电流：45A-开启电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5

IPD30N06S2L13VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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详细参数说明：-型号：STD35P6LLF6-VB-丝印：VBE2625-品牌：VBsemi-功能：P沟道功率MOSFET-最大工作电压：-60V-最大工作电流：-50A-开启电阻(RDS(ON))：

STD35P6LLF6VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在

AO3415A VBsemi mosfet datasheet
【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ

IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m

STD16NF06LT4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A

NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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