在功率半导体领域，DMOS（Double-Diffused MOS，双扩散金属氧化物半导体）、VMOS（Vertical Metal Oxide Silicon，垂直金属氧化物硅）和 LDMOS（Laterally Diffused MOS，横向扩散金属氧化物半导体）虽同属功率 MOSFET家族，但其内在构造与性能表现却各有千秋。先看 DMOS，其核心特征在于双扩散工艺，p 型区域与 n + 源区通过同一窗口进行扩散且 p 区扩散深度更大，表面沟道长度由 p 衬底与 n + 源之间的横向扩散距离决定，漏极与沟道之间存在轻掺杂的 n 漂移区，这一设计为其带来了较高的击穿电压，同时通过优化漂移区厚度可降低导通电阻，就像为电流流通开辟了一条既宽敞又坚固的道路。
DMOS 在高频开关应用中表现突出，常出现在汽车电子、电源供应器等场景，其高频特性与双极结型晶体管（BJT，Bipolar Junction Transistor）有相似之处。再来看看 VMOS，它因具有 V 形凹槽（V-shaped groove）而得名，电流流通路径为垂直方向，从顶部的源极流向底部的漏极，这种垂直电流路径（vertical current flow）搭配 V 形栅极设计，增大了电流通道的横截面积，从而降低了导通电阻，提升了功率处理能力，不过其制造工艺相对复杂，成本也略高，有点像精密仪器，性能出色但造价不菲。
VMOS 多用于中功率场景，如功率放大器（power amplifier）和开关电路等。而 LDMOS 则是横向扩散结构，沟道由栅极长度、源极和漏极扩散共同确定，其独特之处在于通过 p + 区域与源极短接消除了体效应（body effect），使阈值电压（threshold voltage）更加稳定，沟道电流同时受栅极诱导的垂直电场（vertical electric field）和源漏之间的横向电场（lateral electric field）控制。LDMOS 具有低导通电阻和高阻断电压（blocking voltage）的特点，在射频（Radio Frequency，RF）领域应用广泛，尤其是移动通信基站和雷达系统中，其高频线性度（high-frequency linearity）优势明显。
从性能参数来看，DMOS 的击穿电压通常可达数百伏至千伏级，n 漂移区的厚度对漏极电阻（drain resistance）影响较大，较薄的 n 漂移区有助于降低漏极电阻；VMOS 的击穿电压处于中等水平，凭借低导通电阻在中功率应用中占据一席之地；LDMOS 的击穿电压也较高，且在高频下表现稳定。这些差异使得它们在不同领域各司其职，DMOS 的多面手特性让它在多种场景中都能发挥作用，VMOS 的中功率优势使其在特定电路中不可或缺，LDMOS 则成为射频大功率应用的得力助手，就像三个各有所长的能手，在电子世界中共同支撑起各种设备的正常运转。