降压转换器中的CM噪声路径和DM噪声路径
极客硬坛 2024-11-22
本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。知道CM噪声和DM噪声在CE频谱中出现的位置,电源设计人员便可有效应用EMI抑制技术,这从长远来看可以节省设计时间和BOM成本。

图1.降压转换器中的CM噪声路径和DM噪声路径

图1显示了典型降压转换器的CM噪声和DM噪声路径。DM噪声在电源线和返回线之间产生,而CM噪声是通过杂散电容CSTRAY在电源线和接地层(例如铜测试台)之间产生。用于CE测量的LISN位于电源和降压转换器之间。LISN本身不能用于直接测量CM和DM噪声,但它确实能测量电源和返回电源线噪声——分别为图1中的V1和V2。这些电压是在50Ω电阻上测得的。根据CM和DM噪声的定义,如图1所示,V1和V2可以分别表示为CM电压(VCM)和DM电压(VDM)的和与差。因此,V1和V2的平均值就是VCM,而V1和V2之差的一半就是VDM。 


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