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lyyinhe_xi 2024-8-25 18:19: 原创【机智云Gokit2.0开发板】DEMO体验及开发流程; Gokit2.0针对硬件开发者的智能硬件开发板GoKit，用于帮助开发者快速实现智能硬件的原型开发。GoKit支持开发者将产品接入目前行业中各大流行的模组方案，帮助他 ...; 833 2 0 2

机智云开发板编程

电子知识打边炉 2024-8-23 23:07: 原创 PCB设计第047篇敷形涂敷; 敷形涂敷是个拗口的术语，英文是 Conformal Coating。它是指在经过功能测试的PCBA上，给PCB上的元器件覆盖一层绝缘材料的工艺，也可以指这种 ...; 183 1 0 1

电子知识打边炉 2024-8-22 22:35: 原创 PCB设计第046篇 Soldermask阻焊缺陷的预防; 阻焊层的常见问题是起皱、空鼓。 PCB的铜箔温度很高时，阻焊材料可能无法正常附着。比如表面采用HASL（热风整平喷锡）工艺的PCB， ...; 291 2 0 2

电子知识打边炉 2024-8-19 19:50: 原创可靠性第015篇集成电路未用的输入引脚怎样处理; 集成电路的输入引脚如果不使用，不可悬空（float）。这一条我曾以为是设计常识，但我有时会遇到一些人对悬空的输入引脚视而不见。 ...; 229 2 0 2

电子知识打边炉 2024-8-18 22:13: 原创 PCB设计第045篇 Soldermask阻焊作用制作工艺; Solder Resist译作阻焊，因为它对应PCB上的一层材料，所以也被叫做阻焊层。对于双层和多层板而言，会有正面和背面两个阻焊层。 ...; 303 1 0 1

电子知识打边炉 2024-8-18 14:01: 原创可靠性第014篇集成电路 NC 引脚及其处理方法; 有些集成电路包含未使用的引脚。这些未使用引脚有三种情况——NC，DNC和DNU。 NC = No (internal) Connetion，封装内部无键合。这 ...; 759 3 0 3

coyoo 2024-8-17 08:55: 原创 ADA4930用作ADC驱动器分析; 概述模数转换系统计划由前一代的AD9218升级到AD9633，之前的AD驱动器AD8138应该是可以使用的，为了减少电路面积，选择了ADA4930。相对AD8138 ...; 985 5 0 5

AD9633 ADA4930-2 原创奖励

自做自受 2024-8-16 21:13: 原创这玩意儿有科学作用吗？; 呵呵，家人又递给我一个东东，说：不动作啦！看出来吧！正式名称叫：便携式冲牙器是有两个国际性质量认证标识，怎么没有CCC认证？品牌名 ...; 775 5 0 5

冲牙器刷牙

自做自受 2024-8-14 21:48: 原创修理玩具提高质量为哪般？; 2024年8月13日星期二　　家人递给我一个儿童玩具，说：这是给幼儿用来DIY装配玩的玩具，带着孩子一起，看着说明书把它装好了，可两个盖板很容易脱落，没法玩 ...; 752 5 1 4

教育规矩习惯

coyoo 2024-8-11 10:37: 原创基于ALTERA Cyclone 10器件的LVDS接收模块例化遇到的问题; 概述本文主要记录在实际使用FPGA的LVDS模块初始阶段时候遇到的问题，这些问题都是些非典型问题。 C10器件LVDS-RX对接M10器件LVDS-TX遇到的 ...; 676 1 0 1

CYCLONE 10 MAX LVDS 原创奖励

coyoo 2024-8-10 09:10: 原创 SiPM探测LYSO中产生的切伦科夫效应可能性学习; 概述切伦科夫辐射于1934年被发现并命名，本文不探讨理论知识，在项目应用过程中疑似发现有切伦科夫效应。所以需要积累更和学习多该方面知识， ...; 516 1 0 1

SiPM LYSO Cherenkov 原创奖励

自做自受 2024-8-8 21:15: 原创呵呵，AI遇到难题了？; 　　2024年8月8日星期四　　午休后，继续用电脑学习与交流。　　看到我的博文有看官点赞。　　看到下数第五个：《垃圾生金术》读后感叹 ...; 519 3 0 3

垃圾分类 AI 循环使用

lyyinhe_xi 2024-8-7 23:09: 《运放电路环路稳定性设计》运放电路原理到评测; 非常有幸得到了这样一本专业电子模拟电路方面的书籍，这本书以全面而系统的方式，向读者展示了运放环路稳定性设计的核心原理和实际操作步 ...; 685 2 0 2

电子知识打边炉 2024-8-5 12:44: 原创元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通; 功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容，在功率MOSFET规格书中，Cgd 表示为 Crss，而（Cgd + Cgs）表 ...; 280 2 0 2

电子知识打边炉 2024-8-4 21:17: 原创元器件第046篇功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS; 如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压，并不断增大，超过其 Vds最大值，那么总有一个电压的极限值，使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...; 246 1 0 1

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