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电子知识打边炉
2024-8-4 21:17
原创
元器件第046篇 功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS
如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压,并不断增大,超过其 Vds最大值,那么总有一个电压的极限值,使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...
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2024-8-4 11:03
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SiPM的选型思考2
概述 与滨松技术工程师索取了S14161系列75um像素标准产品的手册,在研读该手册的时候对于其中给出的增益指标产生一点点疑惑,本文即对此疑惑以 ...
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SiPM
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Gain
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电子知识打边炉
2024-8-3 23:25
原创
元器件第045篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt (二)
在 元器件第044篇 中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径:Cgd和Cgs,它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...
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coyoo
2024-8-3 11:18
原创
二代SiPM测试板的能谱及2Dmap测试3
概述 使用单晶体基本探测了SiPM通道性能,得到各通道获取的能谱特性,接下来还是回到完整晶体模块的测试。为该SiPM器件专门定制了7x7的晶体模块 ...
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SiPM
MPPC
原创奖励
电子知识打边炉
2024-8-1 23:55
原创
元器件第044篇 功率MOSFET 寄生电容模型
寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关,体现着器件的“内在个性”。毫不意外,功率MOSFET的 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 23:26
原创
原理设计第007篇 电容串联使用时的总容量和分压
虽然使用的机会不多,但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联,也可以用不同规格的电容串联。 电容器串联 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 00:29
原创
元器件第043篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt
功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧,是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...
1172
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电子知识打边炉
2024-8-1 00:09
原创
元器件第042篇 功率MOSFET 寄生二极管和寄生三极管模型
下图是一个垂直结构、平面型栅极、n沟道的功率MOSFET。源极在上,漏极在下,中间是为提高漏-源截止耐压而插入的外延层(epi),外延层采用n-掺杂 ...
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自做自受
2024-7-29 17:43
原创
AI浏览器,你接受不接受?
2024年7月29日星期一,下午 打开电脑,启动浏览器Microsoft Edge,自动跳出页面: 问你Cookie可选,接受?不接受?管理Cookie? 怎么管?点击“管 ...
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自做自受
2024-7-28 21:56
原创
思考:iPhone中国出货量下降?
前两天,读报新闻《 iPhone跌出中国手机销量前五名 - FT中文网 》 苹果二季度在它的关键市场中国出货量下降,市场份额被华为和小米等中国本土制造 ...
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自做自受
2024-7-20 15:32
原创
思考:新疆构建产业?
读报见文《 新疆: 现代化产业 体系在改革中构建、近5000家定点医药机构开通 职工医保 门诊统筹结算 (qq.com) 》兵团零距离 2024年07月18日 08:10 新疆 ...
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新疆
产业
就业
coyoo
2024-7-20 08:38
原创
二代SiPM测试板的能谱及2Dmap测试2
概述 前期直接上LYSO晶体模块能谱测试结果不理想,为了找寻原因回测了PMT系统,并进行了对比。为了找到原因,将测试分解,本文将分解后的测试进 ...
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SiPM
MPPC
2DMap
原创奖励
电子知识打边炉
2024-7-15 22:27
原创
测试技术第012篇 PCB导电阳极丝测试
导电阳极丝(CAF, Conductive Anodic Filament)是发生在PCB内部导体之间的电化学迁移(ECM, Electrochemical Migration)现象。 C ...
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电子知识打边炉
2024-7-14 22:07
原创
测试技术第011篇 PCB表面绝缘电阻检测
PCB表面绝缘电阻(SIR, Surface Insulative Resistance)有IPC和Bellcore GR78-CORE两个主要标准。 IPC-TM-650 方法2.6.3.7 是针 ...
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电子知识打边炉
2024-7-14 17:40
原创
可靠性第013篇 PCBA的绝缘失效——电化学迁移
这篇分享对PCB电化学迁移(ECM, Electrochemical Migration)的学习。 ECM发生在导体之间,是一种需要PCB通电才能持续的电化学反 ...
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