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coyoo 2024-8-11 10:37
原创 基于ALTERA Cyclone 10器件的LVDS接收模块例化遇到的问题
概述 本文主要记录在实际使用FPGA的LVDS模块初始阶段时候遇到的问题,这些问题都是些非典型问题。 C10器件LVDS-RX对接M10器件LVDS-TX遇到的 ...
coyoo 2024-8-10 09:10
原创 SiPM探测LYSO中产生的切伦科夫效应可能性学习
概述 切伦科夫辐射于1934年被发现并命名,本文不探讨理论知识,在项目应用过程中疑似发现有切伦科夫效应。所以需要积累更和学习多该方面知识, ...
自做自受 2024-8-8 21:15
原创 呵呵,AI遇到难题了?
  2024年8月8日星期四   午休后,继续用电脑学习与交流。   看到我的博文有看官点赞。   看到下数第五个: 《垃圾生金术》读后感叹 ...
lyyinhe_xi 2024-8-7 23:09
《运放电路环路稳定性设计》运放电路原理到评测
非常有幸得到了这样一本专业电子模拟电路方面的书籍,这本书以全面而系统的方式,向读者展示了运放环路稳定性设计的核心原理和实际操作步 ...
电子知识打边炉 2024-8-5 12:44
原创 元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通
功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容,在功率MOSFET规格书中,Cgd 表示为 Crss,而 (Cgd + Cgs)表 ...
电子知识打边炉 2024-8-4 21:17
原创 元器件第046篇 功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS
如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压,并不断增大,超过其 Vds最大值,那么总有一个电压的极限值,使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...
coyoo 2024-8-4 11:03
原创 SiPM的选型思考2
概述 与滨松技术工程师索取了S14161系列75um像素标准产品的手册,在研读该手册的时候对于其中给出的增益指标产生一点点疑惑,本文即对此疑惑以 ...
电子知识打边炉 2024-8-3 23:25
原创 元器件第045篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt (二)
在 元器件第044篇 中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径:Cgd和Cgs,它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...
coyoo 2024-8-3 11:18
原创 二代SiPM测试板的能谱及2Dmap测试3
概述 使用单晶体基本探测了SiPM通道性能,得到各通道获取的能谱特性,接下来还是回到完整晶体模块的测试。为该SiPM器件专门定制了7x7的晶体模块 ...
电子知识打边炉 2024-8-1 23:55
原创 元器件第044篇 功率MOSFET 寄生电容模型
寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关,体现着器件的“内在个性”。毫不意外,功率MOSFET的 ...
电子知识打边炉 2024-8-1 23:26
原创 原理设计第007篇 电容串联使用时的总容量和分压
虽然使用的机会不多,但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联,也可以用不同规格的电容串联。 电容器串联 ...
电子知识打边炉 2024-8-1 00:29
原创 元器件第043篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt
功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧,是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...
电子知识打边炉 2024-8-1 00:09
原创 元器件第042篇 功率MOSFET 寄生二极管和寄生三极管模型
下图是一个垂直结构、平面型栅极、n沟道的功率MOSFET。源极在上,漏极在下,中间是为提高漏-源截止耐压而插入的外延层(epi),外延层采用n-掺杂 ...
自做自受 2024-7-29 17:43
原创 AI浏览器,你接受不接受?
2024年7月29日星期一,下午 打开电脑,启动浏览器Microsoft Edge,自动跳出页面: 问你Cookie可选,接受?不接受?管理Cookie? 怎么管?点击“管 ...
自做自受 2024-7-28 21:56
原创 思考:iPhone中国出货量下降?
  前两天,读报新闻《 iPhone跌出中国手机销量前五名 - FT中文网 》   苹果二季度在它的关键市场中国出货量下降,市场份额被华为和小米等中国本土制造 ...
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